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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
摘要：本发明公开了一种碳化硅高选择比刻蚀方法，属于半导体材料加工技术领域，该方法引入氮化镓作为刻蚀掩膜，利用其对F基等离子体的耐刻蚀性，结合工艺参数优化，获得对碳化硅的高选择比。本发明既解决了非金属掩膜对碳化硅的刻蚀选择比不足的问题，又能有效规避金属掩膜在碳化硅刻蚀过程中容易产生金属‑半导体混合副产物且难以去除的技术弊端。
主权项：1.一种碳化硅高选择比刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括：在待刻蚀的碳化硅表面制作图形化膜层，所述图形化膜层为氮化镓膜层；按照预设目标深度刻蚀所述碳化硅。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第二十九研究所 一种碳化硅高选择比刻蚀方法
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