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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所;北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
摘要：本公开提供了一种存算一体电路和SRAM存储装置，可以应用于集成电路技术领域。该存算一体电路，包括：SRAM存储单元阵列，包括连接在第一位线与第二位线之间的至少一个存储单元，存储单元包括彼此交叉耦合的第一反相器和第二反相器，第一反相器和第二反相器相对于彼此具有非对称配置；控制电路，被配置为：接收第一输入信号、第二输入信号和运算模式控制信号，根据运算模式控制信号对第一输入信号和第二输入信号进行处理以得到经处理的第一输入信号和经处理的第二输入信号，以及分别将经处理的第一输入信号和经处理的第二输入信号施加到第一位线和第二位线；以及读出电路，被配置为从存储单元中读出在存储单元中存储的数据。
主权项：1.一种存算一体电路，包括：SRAM存储单元阵列，包括连接在第一位线与第二位线之间的至少一个存储单元，所述存储单元包括彼此交叉耦合的第一反相器和第二反相器，所述第一反相器和所述第二反相器相对于彼此具有非对称配置；控制电路，被配置为：接收第一输入信号、第二输入信号和运算模式控制信号，根据所述运算模式控制信号对所述第一输入信号和所述第二输入信号进行处理以得到经处理的第一输入信号和经处理的第二输入信号，以及分别将所述经处理的第一输入信号和所述经处理的第二输入信号施加到所述第一位线和所述第二位线；以及读出电路，被配置为从所述存储单元中读出在所述存储单元中存储的数据，其中，所述存储单元根据被施加到所述第一位线和所述第二位线上的所述经处理的第一输入信号和所述经处理的第二输入信号而存储所述数据，所述数据对应于对所述第一输入信号和所述第二输入信号进行由所述运算模式控制信号所指示的逻辑运算而得到的结果。
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百度查询： 中国科学院微电子研究所 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司 一种存算一体电路和SRAM存储装置
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