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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
摘要：本发明属于集成电路领域，具体涉及一种适用于SRAM读数据控制的内联锁反馈电路，包括：一个反相器和一个三输入与非门，其中三输入与非门的输入分别为列选择电路使能信号PRM经过反相器的输出和灵敏放大器的两个放大节点SL和SR；三输入与非门的输出RM连接列选择控制电路中PMOS管的栅极。本发明的一种适用于SRAM读数据控制的内联锁反馈电路在读数据过程中，当正确读出数据后，通过内联锁反馈电路反馈给列多路选择电路，关闭位线和放大器的通路，减少位线放电时间，从而减少功耗。
主权项：1.一种适用于SRAM读数据控制的内联锁反馈电路，其特征在于，包括：一个反相器和一个三输入与非门，其中三输入与非门的输入分别为列选择电路使能信号PRM经过反相器的输出和灵敏放大器的两个放大节点SL和SR；三输入与非门的输出RM连接列选择控制电路中PMOS管的栅极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第二十四研究所 一种适用于SRAM读数据控制的内联锁反馈电路
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