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申请/专利权人：三星电子株式会社

摘要：提供了一种固态驱动SSD设备，所述SSD设备包括：主体，包括基体板和沿着基体板的外围延伸的侧壁，所述侧壁包括从基体板的上表面突出的上侧壁和从基体板的下表面突出的下侧壁；第一封装基底模块，容纳在由基体板的上表面和上侧壁限定的区域中；第二封装基底模块，容纳在由基体板的下表面和下侧壁限定的区域中，其中，上侧壁的高度大于下侧壁的高度。

主权项：1.一种固态驱动SSD设备，所述SSD设备包括：主体，包括基体板和沿着基体板的外围延伸的侧壁，所述侧壁包括从基体板的上表面突出的上侧壁和从基体板的下表面突出的下侧壁；第一封装基底模块，容纳在由基体板的上表面和上侧壁限定的区域中，第一封装基底模块包括第一封装基体基底；以及第二封装基底模块，容纳在由基体板的下表面和下侧壁限定的区域中，第二封装基底模块包括第二封装基体基底，其中，上侧壁的高度大于下侧壁的高度，并且其中，第一封装基体基底的下表面面对基体板的上表面，第二封装基体基底的上表面面对基体板的下表面。

全文数据：固态驱动设备于2017年12月8日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0168483号且发明名称为“固态驱动设备”的韩国专利申请通过引用全部包含于此。技术领域实施例涉及一种固态驱动SSD设备，更具体地，涉及一种具有其中容纳封装基体基底的主体的SSD设备。背景技术作为替代现有硬盘驱动器的下一代存储装置，固态驱动SSD设备已引起了关注。这样的SSD设备基于非易失性存储器、消耗少量电力并具有高存储密度。另外，当用作存储装置时，SSD设备可以快速地输入和输出大量的数据。由于已经需要改善包括SSD设备的系统的性能并减小系统的尺寸，所以还需要增加SSD设备的容量并减小其体积。发明内容根据实施例的一个方面，提供了一种固态驱动设备，所述固态驱动设备包括：主体，具有基体板和侧壁，所述侧壁具有从基体板的上表面突出的上侧壁和从基体板下表面突出的下侧壁，所述侧壁沿基体板的外围延伸；第一封装基底模块，容纳在由基体板的上表面和上侧壁限定的区域中；第二封装基底模块，容纳在由基体板的下表面和下侧壁限定的区域中，其中，上侧壁的高度大于下侧壁的高度。根据实施例的另一方面，提供了一种固态驱动设备，所述固态驱动设备包括：主体，具有基体板和侧壁，所述基体板具有从基体板的上表面贯穿到基体板的下表面的贯穿芯片容纳部，所述侧壁具有从基体板的上表面突出的上侧壁和从基体板的下表面突出的下侧壁，所述侧壁沿基体板的外围延伸；第一封装基底模块，容纳在由基体板的上表面和上侧壁限定的区域中，并且包括第一封装基体基底和多个第一半导体芯片，所述多个第一半导体芯片包括安装在第一封装基体基底的上表面上的多个第一上表面半导体芯片和安装在第一封装基体基底的下表面上的多个第一下表面半导体芯片；第二封装基底模块，容纳在由基体板的下表面和下侧壁限定的区域中，并且包括第二封装基体基底和安装在第二封装基体基底的上表面上的多个第二半导体芯片，其中，多个第一下表面半导体芯片的一部分和多个第二半导体芯片的一部分容纳在贯穿芯片容纳部中。根据实施例的又一方面，提供了一种固态驱动设备，所述固态驱动设备包括：主体，具有基体板和侧壁，所述侧壁具有从基体板的上表面突出的上侧壁和从基体板的下表面突出的下侧壁，所述侧壁沿基体板的外围延伸；第一封装基底模块，容纳在由基体板的上表面和上侧壁限定的区域中，并且包括第一封装基体基底和多个第一半导体芯片，所述多个第一半导体芯片包括安装在第一封装基体基底的上表面上的多个第一上表面半导体芯片和安装在第一封装基体基底的下表面上的多个第一下表面半导体芯片；第二封装基底模块，容纳在由基体板的下表面和下侧壁限定的区域中，并且包括第二封装基体基底和安装在第二封装基体基底的上表面上的多个第二半导体芯片，其中，第二封装基体基底的下表面和下侧壁的下部位于同一平面上。附图说明通过参照附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将变得明显，在附图中：图1A和图1B示出了根据实施例的固态驱动SSD设备在不同方向上的透视图；图1C和图1D示出了沿着不同方向截取的根据实施例的SSD设备的剖视图；图1E示出了根据实施例的SSD设备的一部分的放大剖视图；图2A和图2B示出了根据实施例的SSD设备的主体在不同方向上的透视图；图2C和图2D示出了沿着不同方向截取的根据实施例的SSD设备的主体的剖视图；图3A和图3B示出了根据实施例的SSD设备的第一封装基底模块在不同方向上的透视图；图3C示出了根据实施例的SSD设备的第一封装基底模块的剖视图；图4A和图4B示出了根据实施例的SSD设备的第二封装基底模块在不同方向上的透视图；图4C示出了根据实施例的SSD设备的第二封装基底模块的剖视图；图5示出了根据实施例的SSD设备的透视图；图6A示出了根据实施例的SSD设备的透视图；图6B和图6C示出了沿着不同方向截取的根据实施例的SSD设备的剖视图；图7A示出了根据实施例的SSD设备的透视图；图7B示出了根据实施例的SSD设备的剖视图；图8示出了根据实施例的SSD设备的透视图；以及图9A和图9B分别示出了其中根据实施例的SSD设备的第一封装基体基底和第二封装基体基底结合到主体的状态的剖视图。具体实施方式图1A和图1B是根据实施例的固态驱动SSD设备1在不同方向上的透视图。图1C和图1D是沿着不同方向截取的根据实施例的SSD设备1的剖视图。图1E是根据实施例的SSD设备1的一部分的放大剖视图。具体地说，图1A是SSD设备1的从顶部观看的透视图，图1B是SSD设备1的从底部观看的透视图。另外，图1C和图1D是分别沿着图1A和图1B的线IC-IC'和线ID-ID'截取的剖视图，图1E是图1D的区域IE的放大剖视图。参照图1A至图1E，SSD设备1可以包括主体100、第一封装基底模块200和第二封装基底模块300。主体100、第一封装基底模块200和第二封装基底模块300的构造将参照图2A至图4B进行详细描述。参照图1A和图1C，主体100可以在其中容纳第一封装基底模块200和第二封装基底模块300。如图1C所示，主体100可以包括基体板110和沿着基体板110的外围延伸的侧壁130。侧壁130可以包括位于基体板110的上侧上的上侧壁132和位于基体板110的下侧上的下侧壁134，例如，上侧壁132和下侧壁134可以沿着y轴彼此远离地延伸图1C。上基底支撑件122和下基底支撑件124可以从基体板110的上表面和下表面突出，上基底支撑件122和下基底支撑件124分别与上侧壁132和下侧壁134相邻。例如，形成主体100的基体板110、上基底支撑件122、下基底支撑件124和侧壁130可以一体地形成，例如，形成为单个且无缝的单元。在另一示例中，形成主体100的基体板110、上基底支撑件122、下基底支撑件124和侧壁130中的一些可以通过压力装配pressfitting或焊接彼此结合，使得基体板110、上基底支撑件122、下基底支撑件124和侧壁130可以一体地形成。上侧壁132的高度例如，沿着y轴的高度可以大于下侧壁134的高度例如，沿着y轴的高度。在一些实施例中，包括上侧壁132和下侧壁134的侧壁130的总高度可以是约7mm。侧壁130的高度可以与SSD设备1的厚度相同。如图1C所示，第一封装基底模块200可被容纳在由基体板110的上表面和上侧壁132限定的区域中，第二封装基底模块300可被容纳在由基体板110的下表面和下侧壁134限定的区域中。第一封装基底模块200和第二封装基底模块300可以分别接触上基底支撑件122和下基底支撑件124，并且可以与基体板110的上表面和下表面分开，而且在第一封装基底模块200与基体板110的上表面之间以及第二封装基底模块300与基体板110的下表面之间具有间隙。例如，如图1C所示，上基底支撑件122可具有从基体板110延伸的台阶结构，因此第一封装基底模块200可位于上基底支撑件122上例如，与上基底支撑件122和上侧壁132直接接触，以预定的距离处于基体板110上方例如，因为上基底支撑件122的台阶结构而可以在第一封装基底模块200与基体板110之间形成间隙。类似地，如图1C所示，下基底支撑件124可具有在相对于上基底支撑件122的相反的方向上从基体板110延伸的台阶结构，因此第二封装基底模块300可位于下基底支撑件124上例如，与下基底支撑件124和下侧壁134直接接触，以预定距离处于基体板110下方例如，因为下基底支撑件124的台阶结构而可以在第二封装基底模块300与基体板110之间形成间隙。第一封装基底模块200和第二封装基底模块300可以比上侧壁132的上部和下侧壁134的下部向外突出得少。如图1A和图1B所示，侧壁130可以包括在主体100的第一边缘100S1中的第一侧壁槽130H1和在主体100的第二边缘100S2中的第二侧壁槽130H2。也就是说，第一侧壁槽130H1和第二侧壁槽130H2可以分别是主体100的第一边缘100S1和第二边缘100S2中的未形成侧壁130的部分。在一些实施例中，主体100的第一边缘100S1和第二边缘100S2可以彼此连接。如图1C和图1D所示，基体板110可以包括分别从第一侧壁槽130H1和第二侧壁槽130H2朝向主体100的内部凹进的连接器容纳部110R1和信号传输介质容纳部110R2。另外，如下面将参照图2A和图2B更详细地解释的，基体板110可以包括从基体板110的上表面向内延伸的凹进芯片容纳部112和从基体板110的上表面贯穿到基体板110的下表面的贯穿芯片容纳部114。外部连接器500可以结合到连接器容纳部110R1。信号传输介质容纳部110R2可以包括用于将第一封装基底模块200和第二封装基底模块300彼此电连接的信号传输介质400图1D。信号传输介质400可以是例如膜电缆。外部连接器500可以将SSD设备1连接到外部主机，通过外部主机向SSD设备1提供信号和电力。外部连接器500可以是根据例如并行高级技术附件PATA标准、串行高级技术附件SATA标准、SCSI标准或快速PCIPCIe标准连接到外部装置的连接器。这里，SATA标准包括全部SATA标准，例如，SATA-1、SATA-2、SATA-3和外部SATAe-SATA。PCIe标准包括全部PCIe标准，例如，PCIe1.0、PCIe2.0、PCIe2.1、PCIe3.0和PCIe4.0。SCSI标准包括全部SCSI标准，例如，并行SCSI、串行附属SCSISAS和iSCSI。在一些实施例中，外部连接器500可以是支持M2接口、mSATA接口或2.5"接口的连接器。例如，如图1A所示，外部连接器500可以填充第一侧壁槽130H1。外部连接器500可包括电连接到第一封装基底模块200的端子510图1C和支撑端子510的连接器主体520，例如，连接器主体520可以位于第一侧壁槽130H1中，并且在连接器主体520的相对表面上排列有多个端子510图1A和图1B。端子510可以通过第一封装基底模块200电连接到第二封装基底模块300。例如，第二封装基底模块300可以通过信号传输介质400电连接到第一封装基底模块200，然后通过第一封装基底模块200电连接到端子510。如图1A和图1D所示，第二侧壁槽130H2可以与侧壁槽覆盖部750相结合。侧壁130的外表面和侧壁槽覆盖部750的外表面可以在第二边缘100S2处位于同一平面上，例如，侧壁130和侧壁槽覆盖部750的在xy平面中的外表面可以彼此平齐图1A。在一些实施例中，可以不形成侧壁槽覆盖部750。在一些实施例中，如图1B所示，用于将SSD设备1结合到外部装置的第一螺纹孔152和第二螺纹孔154可以分别形成在主体100的侧表面和下表面中。如图1C和图1D所示，第一封装基底模块200可以包括第一封装基体基底210、第一半导体芯片220和控制器芯片230。第一封装基底模块200可以是双列直插式存储器模块DIMM，其中，第一半导体芯片220分别安装在第一封装基体基底210的相对表面上，例如，分别安装在上表面212和下表面214上图1E。如图1E所示，第一半导体芯片220可以包括附着到第一封装基体基底210的上表面212的第一上表面半导体芯片222和附着到第一封装基体基底210的下表面214的第一下表面半导体芯片224。控制器芯片230可以附着到第一封装基体基底210的下表面例如，第一封装基体基底210的面对第二封装基底模块300的表面。例如，将第一半导体芯片220和控制器芯片230安装在第一封装基体基底210上的方法可以是球栅阵列BGA方法、针栅阵列PGA方法、载带封装TCP方法、板上芯片COB方法、四方扁平无引脚QFN方法、四方扁平封装QFP方法等。然而，所述方法不限于此。如图1E进一步示出的，第一上表面阻焊层218a和第一下表面阻焊层218b可以分别形成在第一封装基体基底210的上表面212和下表面214上，其中，第一上表面阻焊层218a和第一下表面阻焊层218b覆盖布线图案中的每个的布置在第一封装基体基底210的上表面212和下表面214上的至少一部分。布线图案的布置在第一封装基体基底210的上表面212和下表面214上并且未被第一上表面阻焊层218a和第一下表面阻焊层218b覆盖的部分可以是第一上表面垫pad，或称为“焊盘”216a和第一下表面垫216b。例如，第一上表面半导体芯片222可以通过第一上表面芯片连接端子242电连接到第一封装基体基底210的第一上表面垫216a，第一下表面半导体芯片224可以通过第一下表面芯片连接端子244电连接到第一封装基体基底210的第一下表面垫216b。第一上表面芯片连接端子242和第一下表面芯片连接端子244可以均是例如凸块或焊球。第二封装基底模块300可以包括第二封装基体基底310和第二半导体芯片320。第二封装基底模块300可以是单列直插式存储器模块SIMM，其中，第二半导体芯片320仅安装在第二封装基体基底310的一个表面上例如，上表面312上。第二半导体芯片320可以附着到第二封装基体基底310的上表面312上，例如，以面对第一封装基底模块200图1C。安装第二半导体芯片320和第二封装基体基底310的方法可以是，例如，BGA方法、PGA方法、TCP方法、COB方法、QFN方法、QFP方法等。然而，所述方法不限于此。如图1E进一步示出的，第二上表面阻焊层318a可以形成在第二封装基体基底310的上表面312上，其中，第二上表面阻焊层318a覆盖布线图案的位于第二封装基体基底310的上表面312上的至少一部分。第二下表面阻焊层318b可以形成在第二封装基体基底310的下表面314上，其中，第二下表面阻焊层318b完全地覆盖位于第二封装基体基底310的下表面314上的下表面布线图案316b。布线图案的位于第二封装基体基底310的上表面312上并且未被第二上表面阻焊层318a覆盖的部分可以是第二上表面垫316a。例如，第二半导体芯片320可以通过第二芯片连接端子340电连接到第二封装基体基底310。第二芯片连接端子340可以是例如凸块或焊球。换言之，布线图案的位于第一封装基体基底210的上表面212和下表面214上的一些部分即，第一上表面垫216a和第一下表面垫216b可以不被第一上表面阻焊层218a和第一下表面阻焊层218b覆盖，并且可以暴露于外部。另外，布线图案的位于第二封装基体基底310的上表面312上的部分即，第二上表面垫316a可以不被第二上表面阻焊层318a覆盖，并且可以暴露于外部。然而，位于第二封装基体基底310的下表面314上的布线图案即，下表面布线图案316b可以被第二下表面阻焊层318b完全地覆盖，并因此可以不暴露于外部。因此，第二下表面阻焊层318b可以完全地覆盖第二封装基体基底310的下表面314。在一些实施例中，第二封装基体基底310的下表面314可以被绝缘膜完全地覆盖，而不是被第二下表面阻焊层318b完全地覆盖。在其它实施例中，绝缘膜可以额外地附着到第二下表面阻焊层318b，并且可以完全地覆盖第二封装基体基底310的下表面314。第一封装基体基底210的下表面214可以面对基体板110的上表面，第二封装基体基底310的上表面312可以面对基体板110的下表面。如图1C所示，控制器芯片230的一部分可被容纳在凹进芯片容纳部112中。具体地说，控制器芯片230可以比基体板110的上表面更向下突出，因此，控制器芯片230的一部分可被容纳在凹进芯片容纳部112中。在一些实施例中，第一传热构件810可以设置在凹进芯片容纳部112的上表面与控制器芯片230之间。第一下表面半导体芯片224和第二半导体芯片320中的每个的一部分可被容纳在贯穿芯片容纳部114中。具体地说，第一下表面半导体芯片224可以比基体板110的上表面更向下突出，第二半导体芯片320可以比基体板110的下表面更向上突出。因此，第一下表面半导体芯片224和第二半导体芯片320中的每个的一部分可被容纳在贯穿芯片容纳部114中。在一些实施例中，在贯穿芯片容纳部114中，第二传热构件800可以设置在第一下表面半导体芯片224与第二半导体芯片320之间。第一传热构件810和第二传热构件800可以均包括绝缘材料或者包含绝缘材料并帮助第一传热构件810和第二传热构件800保持电绝缘性能的材料。第一传热构件810和第二传热构件800可以均包括例如环氧树脂。第一传热构件810和第二传热构件800可以均包括例如矿物油、油脂、间隙填充胶、相变凝胶、相变材料垫或颗粒填充环氧树脂。通常可使用的油脂的示例包括ShinEtsuG750、ShinEtsuG751、ShinEtsuG765和BerquistTIC-7500，相变材料的示例包括ThermaxHF60110-BT、ChromericsT725、ChromericsT443、ChromericsT454、ThermagonT-pcm905c、Berquist200U、BerquistHiFlow225-U和BerquistHiFlow225-UT。热导粘合剂的示例包括Chromericstherm-A-formT642等。然而，第一传热构件810和第二传热构件800的材料不限于此。SSD设备1可以包括覆盖第一封装基底模块200的上侧并且连接到上侧壁132的上部的上表面覆盖部700。上表面覆盖部700的上表面和上侧壁132的上部可以位于同一平面上，例如，彼此平齐。SSD设备1的侧表面可以被侧壁130覆盖，SSD设备1的上表面可以被上表面覆盖部700覆盖。在SSD设备1的底部处，可以暴露第二封装基底模块300的下表面即，第二封装基体基底310的下表面314。第二封装基体基底310的下表面314和下侧壁134的下部可以位于同一平面上，例如，彼此平齐。上表面覆盖部700可以包括例如金属、碳基材料或其组合。例如，金属可为铜Cu、铝Al、锌Zn、锡Sn、不锈钢等，但不限于此。碳基材料可为例如石墨、石墨烯、碳纤维、碳纳米管CNT复合材料等，但不限于此。根据实施例的SSD设备1可以具有相对小的厚度，并且可以包括两个封装基底模块，即，第一封装基底模块200和第二封装基底模块300。具体地说，由于主体100包括了具有容纳第一封装基底模块200和第二封装基底模块300的半导体芯片的凹进芯片容纳部112和贯穿芯片容纳部114的基体板110，所以SSD设备1的总厚度可以较小，例如，与在基体板上具有半导体芯片而基体板没有凹进和或贯穿基体板的开口的SSD设备相比，SSD设备1的总厚度可以较小。因此，由于基体板110的容纳第一封装基底模块200和第二封装基底模块300的半导体芯片的部分的厚度被减小，所以在容量例如，两个封装基底模块而不是仅一个增大的同时，可以减小SSD设备1的总厚度。也就是说，由于主体100包括包含凹进芯片容纳部112和贯穿芯片容纳部114的基体板110，所以即使主体100的厚度不增加，也可以在主体100中容纳第一封装基底模块200和第二封装基底模块300，所述第一封装基底模块200具有上表面212和下表面214，半导体芯片附着到上表面212和下表面214，所述第二封装基底模块300具有上表面312，半导体芯片附着到上表面312。具体而言，第一下表面半导体芯片224的位于第一封装基底模块200的下表面214上的部分以及第二半导体芯片320的位于第二封装基底模块300的上表面312上的部分可被容纳在贯穿芯片容纳部114中。根据实施例的SSD设备1可以具有相对小的厚度，可以因主体100的基体板110和侧壁130而保持其强度，并可以包括相对大量的半导体芯片。因此，根据实施例的SSD设备1可以满足容量增加以及体积减小。图2A和图2B是根据实施例的SSD设备1的主体100在不同方向上的透视图。图2C和图2D是根据实施例的SSD设备1的主体100沿着不同方向的剖视图。具体而言，图2A是SSD设备1的主体100的从顶部观看的透视图，图2B是主体100的从底部观看的透视图。另外，图2C和图2D分别是沿着图2A和图2B的线IIC-IIC'和线IID-IID'所截取的剖视图。为了方便解释，与图1C和图1D的剖视图相比，图2C和图2D的剖视图具有不同的高宽比。另外，在图2C和图2D中，沿着线IIC-IIC'和线IID-IID'截取的剖视图由阴影部分来表示，而非阴影部分由虚线表示与沿着线IIC-IIC'和线IID-IID'截取的剖面分开并且表示开口为了清楚起见。参照图2A至图2D，主体100包括基体板110和沿基体板110的外围延伸的侧壁130。例如，如图2A和图2B所示，基体板110可以具有在xz平面中延伸的平坦形状，侧壁130可以在xy平面和yz平面中沿着基体板110的边缘中的至少一些边缘延伸，例如，侧壁130可以在基体板110的上方和下方在y轴方向上延伸。例如，侧壁130可以包括位于基体板110的上侧上的上侧壁132和位于基体板110的下侧上的下侧壁134，因此上侧壁132和下侧壁134可以分别在基体板110的上方和下方突出。分别邻近于上侧壁132和下侧壁134的上基底支撑件122和下基底支撑件124可以分别从基体板110的上表面和下表面突出例如，以台阶形状突出。上基底支撑件122和下基底支撑件124可以分别从基体板110的上表面和下表面突出，上基底支撑件122和下基底支撑件124分别与上侧壁132和下侧壁134相邻。上侧壁132的突出高度在下文中，也称为“高度”H1可以小于从基体板110的上表面到上侧壁132的上部的高度，下侧壁134的突出高度在下文中，也称为“高度”H2可以小于从基体板110的下表面到下侧壁134的下部的高度。上侧壁132的高度H1可以大于下侧壁134的高度H2。为了方便，参照图2C和图2D，分别相对于上基底支撑件122和下基底支撑件124示出上侧壁132的高度H1和下侧壁134的高度H2。上基底支撑件122的距基体板110的上表面的高度和下基底支撑件124的距基体板110的下表面的高度可以彼此相同。因此，即使可以相对于基体板110的上表面和下表面或基体板110的中心来测量上侧壁132的高度H1和下侧壁134的高度H2，上侧壁132的高度H1也可以大于下侧壁134的高度H2。在一些实施例中，包括上侧壁132和下侧壁134的侧壁130的总高度可以是约7mm。从侧壁130的顶部到底部的高度可以与SSD设备图1A至图1D的SSD设备1的总厚度相同。也就是说，侧壁130可以形成SSD设备1的整个外部的侧壁。形成主体100的基体板110、上基底支撑件122、下基底支撑件124和侧壁130可以一体地形成。主体100可以包括排出在主体100内产生的热且具有足够强的强度以保护主体100中的电子组件的材料。考虑到传热特性，主体100可以包括单一材料或不同材料的组合。主体100可以包括例如金属、碳基材料、聚合物材料或它们的组合。然而，一个或更多个实施例不限于此。主体100可以包括例如Cu、Sn、Zn、Al、不锈钢或包括前述的复合金属。可选地，例如，主体100可以包括诸如环氧树脂、聚甲基丙烯酸甲酯PMMA、聚碳酸酯PC、聚乙烯PE或聚丙烯PP的聚合物材料。侧壁130可以包括分别位于主体100的第一边缘100S1和第二边缘100S2上的第一侧壁槽130H1和第二侧壁槽130H2。也就是说，第一侧壁槽130H1和第二侧壁槽130H2可以分别是主体100的第一边缘100S1和第二边缘100S2上的未形成侧壁130的部分。在一些实施例中，主体100的第一边缘100S1和第二边缘100S2可以彼此连接。如图2A和图2B所示，基体板110可以包括分别从第一侧壁槽130H1和第二侧壁槽130H2朝向主体100的内部凹进的连接器容纳部110R1和信号传输介质容纳部110R2。例如，如图2A和图2B所示，可以去除基体板110的一部分例如，以限定穿过基体板110的开口，从而可以形成第一侧壁槽130H1和第二侧壁槽130H2例如，以限定分别用于容纳外部连接器500和信号传输介质400的空间。如图2A和图2B中进一步示出的，基体板110可以包括从基体板110的上表面朝向主体100的内部延伸的凹进芯片容纳部112和从基体板110的上表面贯穿到基体板110的下表面的贯穿芯片容纳部114。例如，如图2A和图2C所示，基体板110的与连接器容纳部110R1邻近的部分的厚度可以沿x轴减小以限定凹进芯片容纳部112。例如，如图2A和图2C所示，可以完全去除基体板110的一部分以形成穿过其的开口以限定贯穿芯片容纳部114，例如，凹进芯片容纳部112可以沿x轴方向位于贯穿芯片容纳部114与连接器容纳部110R1之间图2A。例如，如图1C和图2A所示，基体板110的一部分110a可以在凹进芯片容纳部112与贯穿芯片容纳部114之间延伸，并且可以连接到侧壁130以确保基体板110的稳定性和对位于其上的第一封装基底模块200和第二封装基底模块300的支撑。用于将SSD设备1连接到外部设备的第一螺纹孔152和第二螺纹孔154可以分别形成在主体100的侧部和下部中。示出的是第二螺纹孔154仅形成在主体100的下部中。然而，一个或更多个实施例不限于此。例如，第二螺纹孔154可以形成在主体100的上部和下部两者中，或者仅形成在主体100的上部中。主体100的上部和下部可以彼此大致对称。凹进芯片容纳部112可以形成在主体100的上部上，但是主体100的下部上可以不形成对应结构。上侧壁132的高度H1可以大于下侧壁134的高度H2。图3A和图3B是根据实施例的SSD设备1的第一封装基底模块200在不同方向上的透视图。图3C是根据实施例的SSD设备1的第一封装基底模块200的剖视图。具体而言，图3A是根据实施例的SSD设备1的第一封装基底模块200的从顶部观看的透视图。图3B是第一封装基底模块200的从底部观看的透视图。另外，图3C是沿着图3A和图3B的线IIIC-IIIC'截取的剖视图。参照图3C，沿着线IIIC-IIIC'截取的剖视图由阴影区域表示，而非阴影区域由虚线表示是与沿着线IIIC-IIIC'截取的剖面分开的部分并且表示开口为了清楚起见。参照图3A至图3C，第一封装基底模块200可以包括第一封装基体基底210、第一半导体芯片220和控制器芯片230。第一半导体芯片220可以包括分别附着到第一封装基体基底210的上表面212和下表面214的第一上表面半导体芯片222和第一下表面半导体芯片224。控制器芯片230可以附着到第一封装基体基底210的下表面214。在一些实施例中，第一封装基体基底210可以是印刷电路板PCB。例如，第一封装基体基底210可以是双面PCB或多层PCB。第一封装基体基底210可以包括包含例如酚醛树脂、环氧树脂和聚酰亚胺中的至少一种的基底基体。所述基底基体可以包括例如阻燃剂4frameretardant4,FR4、四官能环氧树脂tetrafunctionalepoxy、聚苯醚polyphenyleneether、环氧树脂聚苯醚epoxypolyphenyleneoxide、双马来酰亚胺三嗪BT、聚酰胺短纤席材thermount、氰酸酯cyanateester、聚酰亚胺和液晶聚合物中的至少一种。第一封装基体基底210可以具有形成在基底基体的上表面和下表面上的布线图案。在一些实施例中，当基底基体包括多层时，布线图案可以形成在基底基体的对应的层之间。在第一封装基体基底210的基底基体中，可以形成导电通孔以连接布线图案。导电通孔完全地或部分地贯穿基底基体并因此可以使布线图案彼此电连接。布线图案和或导电通孔可以包括例如Cu、镍Ni、不锈钢或铍铜。阻焊层可以形成在第一封装基体基底210的上表面212和下表面214上以覆盖布线图案的位于基底基体的上表面和下表面上的至少一部分。布线图案的布置在基底基体的上表面和下表面上且未被阻焊层覆盖的部分可被用作用于与附着到第一封装基体基底210的上表面212或下表面214的第一半导体芯片220、控制器芯片230、有源元件或无源元件电连接的垫。第一封装基体基底210可以包括从第一封装基体基底210的侧表面朝向第一封装基体基底210的内部凹进的第一基底连接器容纳部210R，从而与图2A和图2B的基体板110的连接器容纳部110R1相对应。第一基底连接器容纳部210R可以结合到连接器图1A和图1B的外部连接器500。结合到第一基底连接器容纳部210R的外部连接器500可以被电连接到第一封装基体基底210。第一半导体芯片220和控制器芯片230可以均包括半导体基底。半导体基底可以包括例如硅Si。可选地，半导体基底可以包括例如锗Ge的半导体元件或者例如碳化硅SiC、砷化镓GaAs、砷化铟InAs和磷化铟InP的化合物半导体。半导体基底可以具有有效表面和与有效表面相对的无效表面。第一半导体芯片220和控制器芯片230可以均包括半导体器件，所述半导体器件包括位于半导体基底的有效表面上的各种类型的单独的器件。第一半导体芯片220可以是非易失性存储器装置。非易失性存储器装置可以是例如闪存、相变随机存取存储器PRAM、电阻随机存取存储器RRAM、铁电随机存取存储器FeRAM、磁随机存取存储器MRAM等。然而，一个或更多个实施例不限于此。闪存可以是例如NAND闪存。闪存可以是例如V-NAND闪存。非易失性存储器装置可以包括一个半导体裸片或者多个半导体裸片的堆叠体。控制器芯片230可以控制第一半导体芯片220。控制器芯片230可以包括位于其中的控制器。控制器可以控制对存储在非易失性存储器装置中的数据的访问。也就是说，控制器可以根据来自外部主机的控制命令来控制非易失性存储器装置例如，闪存的读写操作。控制器可以是单独的控制半导体芯片，例如，专用集成电路ASIC。例如，当图1A至图1D的SSD设备1连接到外部主机时，控制器可以被外部主机的操作系统自动地运行。控制器可以提供标准协议，例如，PATA、SATA、SCSI或PCIe。另外，控制器可以为非易失性存储器装置执行损耗均衡、垃圾回收、坏块管理、纠错码ECC。在这种情况下，控制器可以包括被外部主机可执行的应用程序和用于自动执行的脚本。第一封装基底模块200还可以包括附着到第一封装基体基底210的作为易失性存储器装置的半导体芯片。易失性存储器装置可以是例如动态随机存取存储器DRAM、静态随机存取存储器SRAM、同步DRAMSDRAM、双倍数据速率随机存取存储器DDRRAM、电阻DRAMRDRAM等，但不限于此。易失性存储器装置可以提供用于存储外部主机频繁使用以访问SSD设备1的数据的缓存功能，因此可以根据连接到SSD设备1的外部主机的处理性能来对访问时间和数据传输性能进行缩减scale。另外，第一封装基底模块200还可以包括有源元件或无源元件，例如，芯片电阻器、芯片电容器、电感器、开关、温度传感器、直流-直流DC-DC转换器、用于产生时钟信号的石英、电压调节器等，上述元件中的任意一个附着到第一封装基底模块200。图4A和图4B是根据实施例的SSD设备1的第二封装基底模块300在不同方向上的透视图。图4C是根据实施例的SSD设备1的第二封装基底模块300的剖视图。具体而言，图4A是根据实施例的SSD设备1的第二封装基底模块300的从顶部观看的透视图，图4B是第二封装基底模块300的从底部观看的透视图。另外，图4C是沿图4A和图4B的线IVC-IVC'截取的剖视图由阴影区域表示。图4C中的虚线部分是与沿线IVC-IVC'截取的剖面分开的部分且表示开口为了清楚起见。参照图4A至图4C，第二封装基底模块300可以包括第二封装基体基底310和第二半导体芯片320。第二半导体芯片320可以附着到第二封装基体基底310的上表面312，但可以不附着到第二封装基体基底310的下表面314。第二封装基体基底310和第二半导体芯片320可以分别与参照图3A至图3C描述的第一封装基体基底210和第一半导体芯片220类似，并因此在此将省略重复的描述。第二封装基体基底310可以包括基底基体。第二封装基体基底310可以具有形成在基底基体的上表面和下表面上的布线图案。在一些实施例中，当基底基体包括多层时，布线图案可以形成在基底基体的对应的层之间。在第二封装基体基底310的基底基体中，可以形成连接布线图案的导电通孔。导电通孔可以完全地或部分地贯穿基底基体并可以使布线图案彼此电连接。阻焊层可以形成在第二封装基体基底310的上表面312和下表面314上以覆盖布线图案的位于基底基体的上表面上的至少一部分并且完全覆盖基底基体的下表面。布线图案的位于基底基体的上表面上且未被阻焊层覆盖的部分可以被用作用于与附着到第二封装基体基底310的上表面312的第二半导体芯片320、有源元件或无源元件电连接的垫。第二封装基体基底310可以包括从第二封装基体基底310的侧表面朝向第二封装基体基底310的内部凹进的第二基底连接器容纳部310R，从而与图2A和图2B的基体板110的连接器容纳部110R1相对应。连接器图1A和图1B的外部连接器500可以容纳在第二基底连接器容纳部310R中。结合到第二基底连接器容纳部310R的外部连接器500可以与第二封装基体基底310分开并且在外部连接器500与第二封装基体基底310之间具有间隙。也就是说，外部连接器500可以不连接到第二封装基底模块300。第二半导体芯片320可以是非易失性存储器装置。非易失性存储器装置可以是例如闪存、PRAM、RRAM、FeRAM、MRAM等。然而，一个或更多个实施例不限于此。闪存可以是例如NAND闪存。闪存可以是例如VNAND闪存。非易失性存储器装置可以包括一个半导体裸片或者多个半导体裸片的堆叠体。第二封装基底模块300还可以包括附着到第二封装基体基底310的上表面312的例如芯片电阻器、芯片电容器、电感器、开关、温度传感器、DC-DC转换器、用于产生时钟信号的石英或电压调节器的有源元件或无源元件。在一些实施例中，半导体芯片、有源元件或无源元件可以不附着到第二封装基底模块300的第二封装基体基底310的下表面314。第二封装基体基底310的下表面314可以被阻焊层完全覆盖。第二封装基体基底310可以具有从第二封装基体基底310的侧表面朝向第二封装基体基底310的内部凹进的螺纹孔容纳部350，以与图2B的主体100的第二螺纹孔154的一部分对应。当主体100不包括第二螺纹孔154时，可以不形成螺纹孔容纳部350。图1A至图4C示出了第一封装基底模块200容纳在由基体板110的上表面和上侧壁132限定的区域中，并且第二封装基底模块300容纳在由基体板110的下表面和下侧壁134限定的区域中。然而，一个或更多个实施例不限于此。也就是说，第一封装基底模块200可以容纳在由基体板110的下表面和下侧壁134限定的区域中，第二封装基底模块300可以容纳在由基体板110的上表面和上侧壁132限定的区域中。在这种情况下，上侧壁132的高度可以小于下侧壁134的高度。另外，外部连接器500的端子510可以通过第二封装基底模块300电连接到第一封装基底模块200。图5是根据实施例的SSD设备1a的透视图。参照图5，SSD设备1a与参照图1A至图1D描述的SSD设备1大致类似。然而，与图1A至图1D的SSD设备1不同，在SSD设备1a中，第二侧壁槽130H2可以不结合到侧壁槽覆盖部750。因此，当从外部观看时，SSD设备1a的信号传输介质400可以通过第二侧壁槽130H2暴露。图6A是根据实施例的SSD设备2的透视图。图6B和图6C是沿着不同方向截取的根据实施例的SSD设备2的剖视图。具体而言，图6A是根据实施例的SSD设备2的从顶部观看的透视图。图6B和图6C是沿着图6A的线VIB-VIB'和线VIC-VIC'截取的剖视图。参照图6A至图6C，SSD设备2与参照图5描述的SSD设备1a大致类似。然而，与图5的SSD设备1a不同，在SSD设备2中，主体100的上侧壁132的上部可以不连接到上表面覆盖部700。因此，当从外部观看时，第一封装基底模块200，具体地，第一封装基体基底210的上表面212和附着到上表面212的第一上表面半导体芯片222，可以通过SSD设备2的上侧而被暴露。第一上表面半导体芯片222的上表面和上侧壁132的上部可以位于同一平面上。图7A是根据实施例的SSD设备3的透视图。图7B是根据实施例的SSD设备3的剖视图。具体而言，图7A是根据实施例的SSD设备3的从顶部观看的透视图。图7B是沿着图7A的线VIIB-VIIB'截取的剖视图。参照图7A和图7B，SSD设备3与参照图1A至图1D描述的SSD设备1大致类似。然而，与图1A至图1D的SSD设备1的主体100不同的是，SSD设备3不包括第二侧壁槽130H2。也就是说，SSD设备3的主体100a可以以这样的方式形成：使图1A至图1D的SSD设备1的主体100与侧壁槽覆盖部750一体地形成。第一封装基底模块200和第二封装基底模块300可以通过信号传输介质900彼此电连接。信号传输介质900可以是例如板对板BtoB连接器、扁平柔性电缆FFC连接器或柔性印刷电路FPC连接器。信号传输介质900可以位于贯穿芯片容纳部114a中。SSD设备3可以通过使用信号传输介质900而不是图1D的信号传输介质400来将第一封装基底模块200和第二封装基底模块300彼此电连接。因此，SSD设备3的主体100a可以不包括图1D的凹进的信号传输介质容纳部110R2。图8是根据实施例的SSD设备4的透视图。参照图8，SSD设备4与参照图7A描述的SSD设备3大致类似。然而，与图7A的SSD设备3不同的是，在SSD设备4中，上表面覆盖部700可以不结合到主体100的上侧壁132的上部。因此，当从外部观看SSD设备4时，第一封装基底模块200，具体地，第一封装基体基底210的上表面212和附着到上表面212的第一上表面半导体芯片222可以通过SSD设备4的上侧暴露。第一上表面半导体芯片222的上表面和上侧壁132的上部可以位于同一平面上。图9A和图9B是示出根据实施例的SSD设备的第一封装基体基底210和第二封装基体基底310结合到主体100的状态的剖视图。参照图9A，第一封装基体基底210和第二封装基体基底310可以分别通过第一固定构件610和第二固定构件620固定到主体100。第一固定构件610和第二固定构件620可以是例如螺钉。第一固定构件610可以结合到贯穿第一封装基体基底210的第一基体孔260和贯穿主体100的基体板110的第一板孔162。第二固定构件620可以结合到贯穿第二封装基体基底310的第二基体孔360和贯穿主体100的基体板110的第二板孔164。参照图9B，第一封装基体基底210和第二封装基体基底310可以通过固定构件630固定到主体100。固定构件630可以是例如螺钉或无螺纹螺栓。第一封装基体基底210和第二封装基体基底310可以分别包括贯穿第一封装基体基底210的第一基体孔260a和贯穿第二封装基体基底310的第二基体孔360a。主体100可以包括贯穿基体板110的板孔166。第二基体孔360a可以填充有结合到固定构件630的结合部370。固定构件630的头部接触第一封装基体基底210的上表面，且固定构件630贯穿第一基体孔260a和板孔166，因此，固定构件630的与头部相对的尾部可以结合到填充第二基体孔360a的结合部370。因此，第一封装基体基底210和第二封装基体基底310可以通过固定构件630结合到主体100。通过总结和回顾，根据实施例的固态驱动SSD设备可以满足容量增加和体积减小两者。也就是说，根据实施例，能够确保组件安装的空间并且增加SSD的容量，例如，以在薄的SSD上安装两个印刷电路板PCB例如，不是只有一个。当安装双面PCB的空间大于安装单面PCB的空间时，并且当单面PCB的下表面被用作SSD的外部时，可以减小SSD的厚度，并且可以确保部件安装的空间。在这里已经公开了示例实施例，虽然采用了特定的术语，但是仅以一般性的和描述性的含义而不是为了限制的目的来使用并解释它们。在一些情形下，如本领域的普通技术人员将清楚的，自本申请的提交之时起，除非另外明确指出，否则结合具体实施例描述的特征、特性和或元件可以单独使用或者与结合其它实施例描述的特征、特性和或元件组合使用。因此，本领域技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求书中阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以做出形式上和细节上的各种改变。

权利要求：1.一种固态驱动SSD设备，所述SSD设备包括：主体，包括基体板和沿着基体板的外围延伸的侧壁，所述侧壁包括从基体板的上表面突出的上侧壁和从基体板的下表面突出的下侧壁；第一封装基底模块，容纳在由基体板的上表面和上侧壁限定的区域中；以及第二封装基底模块，容纳在由基体板的下表面和下侧壁限定的区域中，其中，上侧壁的高度大于下侧壁的高度。2.如权利要求1所述的SSD设备，其中，第一封装基底模块具有双列直插式存储器模块，所述第一封装基底模块包括：第一封装基体基底；以及多个第一半导体芯片，包括安装在第一封装基体基底的上表面上的多个第一上表面半导体芯片和安装在第一封装基体基底的下表面上的多个第一下表面半导体芯片。3.如权利要求2所述的SSD设备，其中，第二封装基底模块具有单列直插式存储器模块，所述第二封装基底模块包括：第二封装基体基底；以及多个第二半导体芯片，安装在第二封装基体基底的上表面上。4.如权利要求3所述的SSD设备，其中：基体板包括从基体板的上表面贯穿到基体板的下表面的贯穿芯片容纳部，并且所述多个第一下表面半导体芯片的一部分和所述多个第二半导体芯片的一部分容纳在贯穿芯片容纳部中。5.如权利要求4所述的SSD设备，其中，第一封装基底模块和第二封装基底模块通过信号传输介质彼此电连接，所述信号传输介质为位于贯穿芯片容纳部中的连接器。6.如权利要求3所述的SSD设备，所述SSD设备还包括：控制器芯片，附着到第一封装基底模块的下表面，其中，基体板包括从基体板的上表面延伸到基体板的内部的凹进芯片容纳部，并且其中，控制器芯片的一部分容纳在凹进芯片容纳部中。7.如权利要求3所述的SSD设备，其中，所述多个第一上表面半导体芯片的上表面和上侧壁的上部位于同一平面上。8.如权利要求3所述的SSD设备，所述SSD设备还包括覆盖第一封装基底模块并且结合到上侧壁的上部的上表面覆盖部，其中，上表面覆盖部的上表面和上侧壁的上部位于同一平面上。9.如权利要求3所述的SSD设备，其中，第二封装基体基底的下表面和下侧壁的下部位于同一平面上。10.如权利要求1所述的SSD设备，其中：侧壁包括位于主体的第一边缘中的第一侧壁槽，并且基体板包括连接器容纳部，所述连接器容纳部从第一侧壁槽凹进到基体板内部并容纳连接到第一封装基底模块的外部连接器。11.如权利要求10所述的SSD设备，其中：侧壁包括位于连接到主体的第一边缘的第二边缘中的第二侧壁槽，基体板包括信号传输介质容纳部，所述信号传输介质容纳部从第二侧壁槽凹进到基体板的内部，并且第一封装基底模块和第二封装基底模块通过信号传输介质彼此电连接，所述信号传输介质是容纳在信号传输介质容纳部中的膜电缆。12.一种固态驱动SSD设备，所述SSD设备包括：主体，包括基体板和沿着基体板的外围延伸的侧壁，所述基体板包括从基体板的上表面贯穿到基体板的下表面的贯穿芯片容纳部，所述侧壁包括从基体板的上表面突出的上侧壁和从基体板的下表面突出的下侧壁；第一封装基底模块，容纳在由基体板的上表面和上侧壁限定的区域中，所述第一封装基底模块包括第一封装基体基底和多个第一半导体芯片，所述多个第一半导体芯片包括安装在第一封装基体基底的上表面上的多个第一上表面半导体芯片和安装在第一封装基体基底的下表面上的多个第一下表面半导体芯片；以及第二封装基底模块，容纳在由基体板的下表面和下侧壁限定的区域中，所述第二封装基底模块包括第二封装基体基底和安装在第二封装基体基底的上表面上的多个第二半导体芯片，其中，所述多个第一下表面半导体芯片的一部分和所述多个第二半导体芯片的一部分容纳在贯穿芯片容纳部中。13.如权利要求12所述的SSD设备，其中：基体板包括从基体板的上表面延伸到基体板的内部的凹进芯片容纳部，并且第一封装基底模块还包括控制器芯片，所述控制器芯片附着到第一封装基底模块的下表面并且具有容纳在凹进芯片容纳部中的部分。14.如权利要求12所述的SSD设备，其中，上侧壁的高度大于下侧壁的高度。15.如权利要求12所述的SSD设备，其中，第二封装基体基底的下表面和下侧壁的下部位于同一平面上。16.如权利要求12所述的SSD设备，所述SSD设备还包括：外部连接器，连接到第一封装基底模块；以及信号传输介质，使第一封装基底模块连接到第二封装基底模块。17.如权利要求16所述的SSD设备，其中，信号传输介质包括设置在贯穿芯片容纳部中的连接器。18.如权利要求16所述的SSD设备，其中，信号传输介质包括膜电缆。19.一种固态驱动SSD设备，所述SSD设备包括：主体，包括基体板和沿着基体板的外围延伸的侧壁，所述侧壁包括从基体板的上表面突出的上侧壁和从基体板的下表面突出的下侧壁；第一封装基底模块，容纳在由基体板的上表面和上侧壁限定的区域中，所述第一封装基底模块包括：第一封装基体基底和多个第一半导体芯片，所述多个第一半导体芯片包括安装在第一封装基体基底的上表面上的多个第一上表面半导体芯片和安装在第一封装基体基底的下表面上的多个第一下表面半导体芯片；以及第二封装基底模块，容纳在由基体板的下表面和下侧壁限定的区域中，所述第二封装基底模块包括：第二封装基体基底和安装在第二封装基体基底的上表面上的多个第二半导体芯片，其中，第二封装基体基底的下表面和下侧壁的下部位于同一平面上。20.如权利要求19所述的SSD设备，其中：基体板包括从基体板的上表面贯穿到基体板的下表面的贯穿芯片容纳部，所述多个第一下表面半导体芯片的一部分和所述多个第二半导体芯片的一部分容纳在贯穿芯片容纳部中，并且所述多个第一上表面半导体芯片的上表面和上侧壁的上部位于同一平面上。

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