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申请/专利权人：瑞声声学科技(深圳)有限公司
摘要：本发明涉及半导体技术领域，并提供一种MEMS腔体结构的形成方法，可以提高关于MEMS结构的功能稳定性和可靠性的MEMS集成和封装的工艺良率。该方法包括步骤：在底层上形成粘附材料层；在所述粘附材料层上形成支撑结构和在由所述支撑结构围成的空间中填充牺牲层；在所述支撑结构和所述牺牲层上形成封盖层，所述底层、所述支撑结构和所述封盖层共同形成腔体；以及释放所述牺牲层和所述粘附材料层，以形成所述腔体结构。
主权项：1.一种MEMS腔体结构的形成方法，其特征在于，包括：在底层上形成粘附材料层；在所述粘附材料层上形成支撑结构和在由所述支撑结构围成的空间中填充牺牲层；在所述支撑结构和所述牺牲层上形成封盖层，所述底层、所述支撑结构和所述封盖层共同形成腔体；以及释放所述牺牲层和所述粘附材料层，以形成所述腔体结构。
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权利要求：
百度查询： 瑞声声学科技(深圳)有限公司 MEMS腔体结构的形成方法
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