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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要：本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍片，所述鳍片包括第一部分和第二部分，且所述半导体衬底还包括覆盖所述鳍片第二部分侧壁和顶面的介质层、覆盖部分所述介质层的栅极层以及覆盖所述栅极层顶面的硬掩膜层；侧墙，位于所述栅极层侧壁；外延层，位于所述栅极层两侧的鳍片中且凸出所述鳍片，其中，所述外延层凸出所述鳍片的部分与所述栅极层之间存在空隙。本申请所述的半导体结构及其形成方法，通过增加外延层和栅极之间的距离的方式来降低外延层和栅极之间的寄生电容，可以提高器件性能。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍片，所述鳍片包括第一部分和第二部分，且所述半导体衬底还包括覆盖所述鳍片第二部分侧壁和顶面的介质层、覆盖部分所述介质层的栅极层以及覆盖所述栅极层顶面的硬掩膜层；在所述栅极层侧壁和所述硬掩膜层顶面及侧壁，以及所述介质层表面形成侧墙材料层；在所述侧墙材料层表面形成牺牲层；刻蚀所述牺牲层，所述侧墙材料层，所述介质层以及所述鳍片，在所述栅极层两侧的鳍片中形成开口，去除所述硬掩膜层顶面上的牺牲层和侧墙材料层；在所述开口中生长外延层；去除所述牺牲层使所述外延层凸出所述鳍片的部分与所述栅极层之间形成空隙。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构及其形成方法
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