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申请/专利权人:厦门大学
摘要:一种利用液态聚碳硅烷制备高导热氮化硅纳米粉体的方法,涉及高纯导热氮化硅粉体的制备。以液态聚碳硅烷为原料,在其中加入引发剂后进行常温雾化,将雾化液滴进行原位交联、高温氨化脱碳反应和高温热解无机化,再经过惰性气氛高温灭活和高温晶化,获得结晶度高、纯度高、一次粒径小的Si3N4纳米粉体。该粉体具有优异的导热性能,可用于制备新一代高功率芯片的氮化硅散热基板。工艺简单、产物纯净,可设计性强,陶瓷产率高,成本低,具有工程化应用的价值。
主权项:1.一种利用液态聚碳硅烷制备高导热氮化硅纳米粉体的方法,其特征在于包括以下步骤:1在LPCS中加入引发剂,得到LPCS混合溶液;2利用雾化器将LPCS混合溶液进行常温雾化,得到LPCS雾滴;3将LPCS雾滴在惰性气氛下进行原位自交联,得到交联粉体;4将交联粉体在氨气气氛中高温脱碳氨化,得到硅氮烷纳米粉体;5将硅氮烷纳米粉体继续在氨气中进行高温热解,获得高活性的非晶态Si3N4纳米粉体;6将高活性的非晶态Si3N4纳米粉体在惰性气氛中进行高温灭活热处理,得到稳定的非晶态Si3N4纳米粉体;7将稳定的非晶态Si3N4纳米粉体在惰性气氛中进行高温晶化处理,得到高纯的晶态Si3N4纳米粉体。
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