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一种垂直一体化超晶格红外探测器的封装方法 

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申请/专利权人:山西创芯光电科技有限公司

摘要:本发明提供了一种垂直一体化超晶格红外探测器的封装方法,属于红外探测器领域;解决了传统封装方法得到的红外探测器组件存在的信号传输可靠性低、集成度低的问题;包括以下步骤:取制备好读出电路的晶圆和外延片,将外延片与读出电路通过等离子体低温直接键合工艺,形成异质集成结构;其中外延片是通过在衬底上外延生长二类超晶格材料的外延层得到的;在外延片上通过湿法剥离工艺,完全去除衬底;采用ICP刻蚀工艺和金属化工艺,在外延片上形成焦平面阵列;将焦平面阵列上每个像素的金属电极通过通孔引到读出电路的对应电极区域,使焦平面阵列与读出电路直接相连,得到了红外探测器芯片;本发明应用于超晶格红外探测器封装。

主权项:1.一种垂直一体化超晶格红外探测器的封装方法,其特征在于:包括以下步骤:S1:取制备好读出电路的晶圆和外延片,将外延片与读出电路通过等离子体低温直接键合工艺,形成异质集成结构;其中外延片是通过在衬底上外延生长二类超晶格材料的外延层得到的;在外延片上通过湿法剥离工艺,完全去除衬底;S2:采用ICP刻蚀工艺和金属化工艺,在外延片上形成焦平面阵列;S3:将焦平面阵列上每个像素的金属电极通过通孔引到读出电路的对应电极区域,使焦平面阵列与读出电路直接相连,得到了红外探测器芯片。

全文数据:

权利要求:

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