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申请/专利权人：北京大学
摘要：本发明公开一种CMOS后道工艺兼容的新型存储器的阵列架构及其制备方法，属于半导体Semiconductor和CMOS混合集成电路技术领域。本发明提出一种基于2T2S2R单元的新型三维存储阵列架构，各存储单元除一个晶体管外还额外拥有一个选通管Selector，可有效抑制写入串扰和额外读电流；将各单元通过水平方向的源线SL引出，读写电流无需经过较长的晶体管沟道；通过共源线SL的方法形成实质上的2T2S2R单元，减小SL的面积开销，从而提高集成密度，与平面1S1R阵列相比，本发明在不显著增大面积开销的同时引入晶体管，能大幅度降低1S1R阵列对于选通管非线性度的要求。
主权项：1.一种CMOS后道工艺兼容的新型存储器的阵列架构，其特征在于，包括若干列垂直晶体管，在每列垂直晶体管中，两个上、下相邻的串联垂直晶体管为一单元，每个单元之间设有隔离介质层，所有垂直晶体管的栅极均与字线WL相连，在每个垂直晶体管的水平方向连接一1S1R单元和位线BL，该1S1R单元为一选通管与一新型存储器串联组成，所述1S1R单元和位线BL构成功能层，上、下相邻的垂直晶体管的功能层之间设有一源线SL层，所述源线SL与垂直晶体管的沟道直接连接，所述功能层与源线SL层之间设有隔离介质层，位于上、下相邻的1S1R单元共用一条源线SL，构成2T2S2R单元，在垂直和水平方向上分别扩展形成2T2S2R阵列，在操作阵列时，打开被选择器件所在的列垂直晶体管而关闭其余垂直晶体管列，在被选择器件所对应的源线SL与位线BL之间施加操作电压，其余源线SL和位线BL的电压按照12偏置法设置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大学 一种CMOS后道工艺兼容的新型存储器的阵列架构及其制备方法
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