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申请/专利权人：浙江大学;浙江创芯集成电路有限公司
摘要：本发明公开浮栅型存储器TCAD仿真模型的校准方法、设备及存储介质。对浮栅型存储器搭建实际浮栅型存储器和对应TCAD仿真模型；然后对仿真模型进行校准；通过在浮栅型存储器的控制栅和浮栅之间增加电容，微调控制栅和浮栅的电容耦合比，校准器件在编程、擦除过程中氧化层固定电荷参数，校准迁移率模型参数和界面态参数，实现电性测试校准；通过校准SiSiO2界面态、体氧化物陷阱和近界面氧化物陷阱的分布情况，实现可靠性测试校准。本发明方法显著提高TCAD仿真模型的表达准确率。
主权项：1.浮栅型存储器TCAD仿真模型的校准方法，其特征在于所述方法包括：步骤S1：完成浮栅型存储器的版图设计，并进行实际流片，得到实际浮栅型存储器；基于实际浮栅型存储器进行电学性能测试，得到实际测试数据；步骤S2：将浮栅型存储器的版图设计文件导入TCAD工具进行浮栅型存储器的工艺建模，得到仿真模型；然后基于仿真模型进行电学性能测试，得到仿真测试数据；然后利用步骤S1的实际测试数据对仿真测试数据进行校准；所述校准包括电性测试校准、可靠性测试校准；所述电性测试校准具体是：首先，通过在浮栅型存储器的控制栅和浮栅之间增加电容，微调控制栅和浮栅的电容耦合比，直至与实际浮栅型存储器相符；其次，校准器件在编程、擦除过程中氧化层固定电荷参数，直至仿真模型的阈值电压仿真值比实际浮栅型存储器的阈值电压实际值高；最后，校准迁移率模型参数和界面态参数，直至编程、擦除窗口的仿真测试数据与实际测试数据相符；校准迁移率模型参数和界面态参数，直至编程、擦除操作后仿真模型的IV曲线仿真值比实际浮栅型存储器的IV曲线实际值高，且编程、擦除操作仿真模型的工作窗口仿真值与实际浮栅型存储器的工作窗口实际值相符；所述可靠性测试校准具体是：通过校准SiSiO2界面态、体氧化物陷阱和近界面氧化物陷阱的分布情况，直至仿真模型与实际浮栅型存储器相符。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江大学 浙江创芯集成电路有限公司 浮栅型存储器TCAD仿真模型的校准方法、设备及存储介质
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