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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本公开提供了一种基于光源相干性的光刻成像仿真方法和装置。本公开的方法包括：计算光刻系统中有效源面上每个光源点产生的输出电场；计算有效源面上任意两个光源点之间的空间相干度；根据当前光源点的输出电场和当前光源点与其他光源点之间的相干度，确定当前光源点的输出光强；将有效源面上所有光源点的输出光强进行叠加，得到光刻系统的累计输出光强。本公开将光源的相干度分布表征在光刻成像系统中的有效源面上，有效源面上光源点的相干性影响体现在电场叠加中，实现光源相干性对光刻成像影响的仿真，从而进一步确定可以应用于光刻成像的光源相干性条件。
主权项：1.一种基于光源相干性的光刻成像仿真方法，其特征在于，包括：计算光刻系统中有效源面上每个光源点产生的输出电场；计算所述有效源面上任意两个所述光源点之间的空间相干度；根据当前光源点的输出电场和所述当前光源点与其他光源点之间的相干度，确定所述当前光源点的输出光强；将所述有效源面上所有光源点的输出光强进行叠加，得到所述光刻系统的累计输出光强。
全文数据：
权利要求：
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