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申请/专利权人：森一量子科技(厦门)有限公司
摘要：本发明公开了一种提高法拉第旋光片良率的方法，在衬底的上下表面同时生长一层法拉第旋光晶体，将上表面生长的法拉第旋光晶体作为抑制层，对晶圆在降温收缩的过程中提供作用力，抑制晶圆的翘曲，减少了晶圆开裂的问题，提升了产品良率，有助于生长大尺寸法拉第旋光片晶圆。
主权项：1.一种提高法拉第旋光片良率的方法，其特征在于，在衬底上表面制备抑制层，所述抑制层为法拉第旋光晶体；包括以下步骤：先升温将原料融化成熔体，接着降温到晶体生长所需温度，缓慢将衬底夹具下降使得衬底浸入所述熔体中，所述衬底夹具来回旋转，在其上表面形成抑制层，将所述衬底升高至其下表面接触熔体进行外延生长工艺，直至得到需要的晶圆厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 森一量子科技(厦门)有限公司 一种提高法拉第旋光片良率的方法
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