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申请/专利权人：浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司
摘要：本发明公开了外延片背面平整度处理装置及处理方法，涉及外延片加工技术领域，包括吸附部、定位部、研磨部、防护部和液体排出部。还公开了外延片背面平整度处理方法，包括以下步骤：放置、吸附、定位、研磨处理和下料。本发明通过设置吸附部，当吸附部运动至第一高度时，使外延片与承载台顶部表面接触，同时并带动定位部对外延片进行定位，使外延片与承载台同心位置，随后吸附部运动至第二高度并对外延片进行固定，在吸附部运动至第一高度的过程中通气斜孔所排出的气体对承载台顶部表面清理，从而提升了外延片整体质量；通过防护部与吸附部的配合，利用往防护罩充气过程气压增大对排液管进行疏通，便于外延片的持续加工处理。
主权项：1.外延片背面平整度处理装置，包括柜体（1），其特征在于，还包括：基座（2），其固定设置于柜体（1）的内部，且所述基座（2）为凸形结构；吸附部（3），其设置于基座（2）的顶部，且所述吸附部（3）能够将外延片吸附固定，并能够绕着基座（2）顶部带动外延片进行转动；定位部（4），其数量设置为多组，且多组所述定位部（4）可调节设置于基座（2）的顶部，多组所述定位部（4）同步运动能够将外延片调节至与所述吸附部（3）同心的位置；研磨部（5），其固定设置于柜体（1）的内部并位于吸附部（3）的上方，且所述研磨部（5）在与所述吸附部（3）的配合下，使所述吸附部（3）带动外延片正向转动，且所述研磨部（5）与外延片背面接触后开始反向转动研磨；防护部（6），其固定设置于研磨部（5）的外壁，且所述防护部（6）能够跟随研磨部（5）上下同步运动；液体排出部（7），其开设于基座（2）的顶部，其用于排出液体。
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权利要求：
百度查询： 浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司 外延片背面平整度处理装置及处理方法
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