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申请/专利权人：甬矽半导体(宁波)有限公司
摘要：本申请涉及一种2.5D封装结构和2.5D封装方法，涉及半导体封装技术领域。该2.5D封装结构包括多个支撑结构、第二衬底和多个芯片。每个支撑结构包括第一衬底和导电柱。导电柱贯穿第一衬底，并分别凸出于第一衬底的两侧。多个支撑结构电连接于第二衬底；相邻支撑结构之间具有间隙。多个芯片堆叠设置，且与支撑结构的导电柱电连接。通过支撑结构之间设置间隙，有利于底部填充胶分散至第二衬底上，减少芯片底部累积的底部填充胶的胶量，降低胶体应力对芯片的影响。
主权项：1.一种2.5D封装结构，其特征在于，包括：多个支撑结构，每个所述支撑结构包括第一衬底和导电柱；所述导电柱贯穿所述第一衬底，并分别凸出于所述第一衬底的两侧；第二衬底，多个所述支撑结构电连接于所述第二衬底；相邻所述支撑结构之间具有间隙；所述第一衬底和所述第二衬底之间形成与所述间隙连通的容置空腔；多个芯片，多个所述芯片堆叠设置，且与所述支撑结构的导电柱电连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 甬矽半导体(宁波)有限公司 2.5D封装结构和2.5D封装方法
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