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申请/专利权人：豪威科技股份有限公司

摘要：本公开涉及用于图像传感器中的滚动箝位的HV驱动器。成像系统包含具有像素电路的像素阵列，每一像素电路包含光电二极管、浮动扩散部、源极跟随器晶体管及行选择晶体管。所述成像系统进一步包含滚动箝位RC驱动器，每一驱动器耦合到所述像素电路中的一者的行选择晶体管的栅极端子，且每一驱动器包含耦合在箝位电压与所述像素电路中的所述一者的所述行选择晶体管的所述栅极端子之间的第一及第二PMOS晶体管，以及耦合在所述箝位电压与所述像素电路中的所述一者的所述行选择晶体管的所述栅极端子之间的第一、第二及第三NMOS晶体管。所述PMOS晶体管及所述NMOS晶体管经并联耦合。所述PMOS晶体管经配置以提供上箝位电压范围，且所述NMOS晶体管经配置以提供下箝位电压范围。

主权项：1.一种成像系统，其包括：像素阵列，其包含多个像素电路，其中每一像素电路包含：光电二极管，其经配置以响应于入射光而光生图像电荷；浮动扩散部，其经耦合以接收来自所述光电二极管的所述图像电荷；源极跟随器晶体管，其具有耦合到所述浮动扩散部的栅极端子；及行选择晶体管，其耦合到所述源极跟随器晶体管的源极端子；及多个滚动箝位RC驱动器，其中每一RC驱动器耦合到所述像素电路中的一者的行选择晶体管的栅极端子，其中每一RC驱动器具有导通状态及关断状态，且其中每一RC驱动器包括：第一PMOS晶体管，其耦合在箝位电压与所述像素电路中的一者的所述行选择晶体管的所述栅极端子之间；第二PMOS晶体管，其耦合在所述第一PMOS晶体管与所述像素电路中的所述一者的所述行选择晶体管的所述栅极端子之间；第一NMOS晶体管，其耦合在所述箝位电压与所述像素电路中的所述一者的所述行选择晶体管的所述栅极端子之间；第二NMOS晶体管，其耦合在所述第一NMOS晶体管与所述箝位电压之间；及第三NMOS晶体管，其耦合在所述第二NMOS晶体管与所述箝位电压之间，其中所述第一及第二PMOS晶体管以及所述第一、第二及第三NMOS晶体管并联耦合在所述箝位电压与所述像素电路中的所述一者的所述行选择晶体管的所述栅极端子之间，其中每一RC驱动器的所述第一及第二PMOS晶体管经配置以提供上箝位电压范围到所述像素电路中的所述一者的所述行选择晶体管的所述栅极端子，且其中每一RC驱动器的所述第一、第二及第三NMOS晶体管经配置以提供下箝位电压范围到所述像素电路中的所述一者的所述行选择晶体管的所述栅极端子。

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