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申请/专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
摘要：本发明公开了一种Ga2O3光电探测器及提高Ga2O3光电探测器的探测能力的方法。所述方法包括制作Ga2O3外延层以及在Ga2O3外延层表面的第一区域制作电极，以及，在所述Ga2O3外延层表面的第二区域形成钝化层，所述钝化层能够降低Ga2O3外延层的表面缺陷。本发明利用Al2O3、SiO2、MgO等材料对Ga2O3薄膜表面缺陷进行钝化，降低了氧化镓薄膜的表面缺陷，抑制缺陷态的产生和光生载流子复合，从而降低了Ga2O3光电探测器件的暗电流，提高了Ga2O3光电探测器件的光暗电流比，提升了响应速度，解决了Ga2O3MSM结构光电探测器暗电流大的问题，本发明提供的Ga2O3光电探测器件的暗电流可降低至10‑10A，响应度可达到～105AW。
主权项：1.一种提高Ga2O3光电探测器的探测能力的方法，包括制作Ga2O3外延层以及在Ga2O3外延层表面的第一区域制作电极，其特征在于，还包括：在所述Ga2O3外延层表面的第二区域形成钝化层，所述钝化层能够消除Ga2O3外延层表面的悬挂键。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 Ga2O3光电探测器及提高Ga2O3光电探测器的探测能力的方法
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