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申请/专利权人:京瓷株式会社
摘要:本发明的氮化硅质烧结体含有氮化硅粒子和钇硅氧氮化物YttriumSiliconOxynitride粒子,气孔率为14%以下。
主权项:1.一种氮化硅质烧结体,其中,其含有氮化硅粒子和钇硅氧氮化物粒子,气孔率为14%以下。
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