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申请/专利权人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
摘要：本发明涉及一种改善抛光硅片化学氧化膜厚及Haze均一性的单片清洗工艺，所属半导体用硅抛光片和硅外延片的清洗技术领域，在单片清洗机采用硅片高速旋转结合固定位置的喷嘴喷射O3DIW和HF的方式对硅片进行清洗；采用两步法生长SiOx氧化膜：第一步，O3DIW从硅片边缘匀速移动至硅片中心，在此过程中喷射O3DIW；O3DIW在不同半径处与硅片接触瞬间的O3浓度是相同的，O3DIW接触硅片后，在高速Spin作用下，会向硅片边缘流动；第二步，第一步结束时，氧化膜的厚度h1r会呈现边缘高、中心低的趋势；O3DIWNozzle停留在硅片中心数秒，并喷射O3DIW，新增的氧化膜厚度h2r将会呈现中心高、边缘低的特点。具有操作简单、运行稳定性好和效果显著的特点。使得硅片表面的Haze均一性得到显著改善。
主权项：1.一种改善抛光硅片化学氧化膜厚及Haze均一性的单片清洗工艺，其特征在于：在单片清洗机采用硅片高速旋转结合固定位置的喷嘴喷射药液O3DIW和HF的方式对硅片进行清洗；在进行清洗时，使用O3DIW在硅片表面形成氧化膜，再对硅片表面喷射HF，对已经形成氧化膜进行刻蚀，通过O3DIW→HF的反复循环，对附着于硅片表面的颗粒和金属进行剥离；O3DIW与Si反应时，在氧化还原电势的作用下，硅衬底将失去电子，该电子透过已经形成的SiOx氧化膜抵达SiOxO3DIW固液界面，并与O3分解产生的氧原子形成负一价的O-，由于硅衬底失去电子，因此在SiOx氧化膜层内形成指向O3DIW的电场；采用两步法生长SiOx氧化膜：第一步，O3DIW喷嘴从硅片边缘匀速移动至硅片中心，在此过程中喷射O3DIW；O3DIW在不同半径处与硅片接触瞬间的O3浓度是相同的，O3DIW接触硅片后，在高速旋转作用下，会向硅片边缘流动；第二步，第一步结束时，氧化膜的厚度h1r会呈现边缘高、中心低的趋势；O3DIW喷嘴停留在硅片中心数秒，并喷射O3DIW，新增的氧化膜厚度h2r将会呈现中心高、边缘低的特点。
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权利要求：
百度查询： 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 改善抛光硅片化学氧化膜厚及Haze均一性的单片清洗工艺
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