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申请/专利权人：哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
摘要：本发明公开了γ相氧化镓纳米片的制备方法、γ相氧化镓纳米片及其应用，其中γ相氧化镓纳米片的制备方法，包括以下步骤：对GaNO33的酸溶液进行稀释和蒸发结晶，得到前体晶体；将所述前体晶体、有机溶剂和水混合使晶体溶解，得到前体溶液；向所述前体溶液中加入沉淀剂并调整pH值为10.0‑11.0，得到悬浊液；将所述悬浊液转移至水热反应釜中在160℃‑300℃条件下保存6h‑9h后进行固液分离、洗涤和干燥，得到γ相氧化镓纳米片。本发明能够得到γ‑Ga2O3纳米片，且能够有效提高γ‑Ga2O3纳米片的产率和尺寸的均匀性。
主权项：1.一种γ相氧化镓纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：对GaNO33的酸溶液进行稀释和蒸发结晶，得到前体晶体；将所述前体晶体、有机溶剂和水混合使晶体溶解，得到前体溶液；向所述前体溶液中加入沉淀剂并调整pH值为10.0-11.0，得到悬浊液；将所述悬浊液在160℃-300℃条件下保存6h-9h后进行固液分离、洗涤和干燥，得到γ相氧化镓纳米片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院) γ相氧化镓纳米片的制备方法、γ相氧化镓纳米片及其应用
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