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申请/专利权人：AGC株式会社

摘要：本发明涉及布线膜和布线膜的形成方法。本发明提供一种设置在基板上的多层结构的布线膜，其特征在于，所述布线膜包含：初始层，所述初始层成膜于所述基板上，膜厚为3nm～200nm，并包含由金属元素构成的金属或合金、或者金属或合金的化合物；和第二层及第二层之后的层，所述第二层及第二层之后的层成膜于所述初始层上，并包含由金属元素构成的金属或合金、或者金属或合金的化合物，并且所述布线膜在所述初始层与所述第二层之间具有界面。提供一种通过真空气氛下的溅射而形成包含金属元素的多层结构的布线膜的方法，所述方法包含：在所述基板上成膜膜厚为3nm～200nm的初始层、然后进行抽真空的工序；和在所述初始层上成膜第二层及第二层之后的层的工序。

主权项：1.一种布线膜，其为设置在基板上的多层结构的布线膜，其特征在于，所述布线膜包含：初始层，所述初始层成膜于所述基板上，膜厚为3nm～200nm，并且包含由金属元素构成的金属或合金、或者金属或合金的化合物；和第二层及第二层之后的层，所述第二层及第二层之后的层成膜于所述初始层上，并且包含由金属元素构成的金属或合金、或者金属或合金的化合物，所述布线膜在所述初始层与所述第二层之间具有界面，所述初始层和所述第二层及第二层之后的层的主要成分由同种金属或合金、或者金属或合金的化合物构成，所述初始层为含氧原子的层，层间氧原子含有比率为2以上，并且初始层氧原子含有比率为0.03～0.15，所述布线膜的通过X射线衍射得到的由特定晶面引起的衍射峰中的、最大的第一衍射峰与第二大的第二衍射峰之比、即第一衍射峰第二衍射峰为5.0以上。

全文数据：布线膜和布线膜的形成方法技术领域本发明涉及布线膜和布线膜的形成方法。背景技术近年来，随着用于显示器制造的基板的大型化，难以维持包含TFTThinFilmTransistor：薄膜晶体管元件在内的显示器的Al布线膜的品质。作为金属布线的品质的指标，在Al布线的情况下，可以列举其结晶性、向Al111晶面的取向性非专利文献1、2。在使用大型基板的情况下，均匀且迅速的基板的温度控制、抽真空变得困难，水分、氧气、氮气等残留气体分压变高，因此晶体的取向性变差。在残留气体分压高的情况下，在晶体的生长过程中产生堆垛层错，因此产生朝向不同方位的生长核，例如在Al的情况下，认为Al111取向变弱。作为提高取向性的方法，特别重要的是除去存在于基板表面的水分非专利文献1、专利文献1。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特许第3938437号公报非专利文献非专利文献1：伊藤隆司著，VLSI的薄膜技术，1986年非专利文献2：S.Vaidya，A.K.Sinha著，固体薄膜ThinSolidFilms，第75卷，第3期，1981年1月16日，第253-259页发明内容发明所要解决的问题作为除去基板表面的水分的方法而言，通常已知将基板的温度、真空槽内的压力设定为适当的条件的方法。例如，在使基板的温度升高时，促进脱气，基板表面附近的水分减少。另外，在使真空槽内的压力降低时，气氛中以及吸附于基板的水分等气体减少。由此，阻碍金属原子迁移的因素减少，结果，金属原子能够最稳定地排列，因此晶体的取向性提高。然而，没有完全弄清这些因素与取向性的关系，需要通过实验来明确最佳条件，并且其选择是不容易的。另外，即使在明确了最佳条件的情况下，由于装置构成、生产节拍的限制，这些因素也需要设定在一定的范围内，在改善上存在限度。鉴于如上所述的课题，本发明提供晶体的取向性优异的布线膜以及简易且有效地形成该布线膜的方法。用于解决问题的手段本发明人等发现，通过真空气氛下的溅射在基板上成膜膜厚为3nm～200nm的初始层，并且在该初始层上成膜第二层及第二层之后的层，由此能够得到晶体的取向性优异的、包含金属元素的多层结构的布线膜，并基于所述见解完成了本发明。即，本发明如下所述。1.一种布线膜，其为设置在基板上的多层结构的布线膜，其特征在于，所述布线膜包含：初始层，所述初始层成膜于所述基板上，膜厚为3nm～200nm，并且包含由金属元素构成的金属或合金、或者金属或合金的化合物；和第二层及第二层之后的层，所述第二层及第二层之后的层成膜于所述初始层上，并且包含由金属元素构成的金属或合金、或者金属或合金的化合物，并且所述布线膜在所述初始层与所述第二层之间具有界面。2.如所述1所述的布线膜，其特征在于，所述初始层和所述第二层及第二层之后的层的主要成分为同种金属或合金、或者金属或合金的化合物。3.如所述1或2所述的布线膜，其特征在于，所述初始层为含氧原子的层。4.如所述3所述的布线膜，其特征在于，所述布线膜的层间氧原子含有比率为2以上。5.如所述4所述的布线膜，其特征在于，所述布线膜的初始层氧原子含有比率为0.02～1.5。6.如所述1～5中任一项所述的布线膜，其中，所述金属元素为选自由Al、Cu、Ti、Mo、C、Si、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Ga、Ge、As、Se、Zr、Nb、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、Ta、W、Ir、Pt、Au、Pb、Ru和Bi构成的组中的至少一种。7.一种布线膜，其为通过真空气氛下的溅射而设置在基板上的包含金属元素的多层结构的布线膜，其中，所述布线膜包含：初始层，所述初始层成膜于所述基板上，并且膜厚为3nm～200nm；和第二层及第二层之后的层，所述第二层及第二层之后的层是在所述初始层的成膜后进行抽真空、然后成膜于所述初始层上的层。8.如所述7所述的布线膜，其中，所述初始层的成膜后的抽真空后的压力为1.0×10-3Pa以下。9.如所述7或8所述的布线膜，其中，所述布线膜由选自由Al、Cu、Ti、Mo、C、Si、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Ga、Ge、As、Se、Zr、Nb、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、Ta、W、Ir、Pt、Au、Pb、Ru和Bi构成的组中的至少一种金属元素的金属或合金、或者金属或合金的化合物构成。10.如所述1～9中任一项所述的布线膜，其中，所述布线膜的通过X射线衍射得到的由特定晶面引起的衍射峰中的、最大的第一衍射峰与第二大的第二衍射峰之比、即第一衍射峰第二衍射峰为5.0以上。11.如所述1～9中任一项所述的布线膜，其中，所述布线膜的膜厚为200nm以下，并且所述布线膜的通过X射线衍射得到的由特定晶面引起的衍射峰中的、最大的第一衍射峰与第二大的第二衍射峰之比、即第一衍射峰第二衍射峰为2.3以上。12.如所述1～11中任一项所述的布线膜，其中，所述布线膜的通过X射线衍射得到的由特定晶面引起的衍射峰中的、最大的第一衍射峰与第二大的第二衍射峰之比、即第一衍射峰第二衍射峰，比由通过溅射而在所述基板上成膜的相同膜厚并且与所述初始层为相同组成的单层构成的布线膜的所述第一衍射峰第二衍射峰大5％以上。13.如所述1～12中任一项所述的布线膜，其中，所述布线膜以Al或Cu作为主要成分。14.如所述13所述的布线膜，其中，所述布线膜为以Al作为主要成分的布线膜，并且所述布线膜的通过X射线衍射得到的由Al111晶面引起的衍射峰与由Al200晶面引起的衍射峰之比、即Al111Al200为5.0以上。15.如所述13所述的布线膜，其中，所述布线膜为以Al作为主要成分的布线膜，所述布线膜的膜厚为200nm以下，并且所述布线膜的通过X射线衍射得到的由Al111晶面引起的衍射峰与由Al200晶面引起的衍射峰之比、即Al111Al200为2.3以上。16.如所述13所述的布线膜，其中，所述布线膜为以Al作为主要成分的布线膜，并且所述布线膜的通过根据下述条件测定的X射线衍射得到的由Al111晶面引起的衍射峰的半峰宽2θ为0.38°以下，装置：日本理学公司制造的UltimaIII光学系统：平行光束光学系统PB[薄膜普通]X射线源：Cu-Kα射线不使用Kβ滤波器管电压：40kV管电流：40mA取样步长：0.02°步扫描速度：1°分钟。17.如所述13所述的布线膜，其中，所述布线膜为以Al作为主要成分的布线膜，并且所述布线膜的在由Al111晶面引起的衍射峰的位置处测定摇摆曲线时的峰间距离为15°以下。18.如所述13所述的布线膜，其中，所述布线膜为以Al作为主要成分的双层结构的布线膜，并且所述布线膜的通过根据下述条件测定的X射线衍射得到的由Al111晶面引起的衍射峰的强度与双层的膜厚之比为5.0[计数nm]以上，装置：日本理学公司制造的UltimaIII光学系统：平行光束光学系统PB[薄膜普通]X射线源：Cu-Kα射线不使用Kβ滤波器管电压：40kV管电流：40mA取样步长：0.02°步扫描速度：1°分钟。19.如所述13所述的布线膜，其中，所述布线膜为以Al作为主要成分的布线膜，并且所述布线膜的通过X射线衍射得到的由Al111晶面引起的衍射峰的半峰宽2θ比由通过溅射而在所述基板上成膜的相同膜厚并且与所述初始层为相同组成的单层构成的布线膜的所述半峰宽2θ小5％以上。20.如所述13所述的布线膜，其中，所述布线膜为以Cu作为主要成分的布线膜，并且所述布线膜的通过X射线衍射得到的由Cu111晶面引起的衍射峰与由Cu200晶面引起的衍射峰之比、即Cu111Cu200为5.0以上。21.如所述13所述的布线膜，其中，所述布线膜为以Cu作为主要成分的布线膜，并且所述布线膜的通过根据下述条件测定的X射线衍射得到的由Cu111晶面引起的衍射峰的半峰宽2θ为0.38°以下，装置：日本理学公司制造的UltimaIII光学系统：平行光束光学系统PB[薄膜普通]X射线源：Cu-Kα射线不使用Kβ滤波器管电压：40kV管电流：40mA取样步长：0.02°步扫描速度：1°分钟。22.如所述13所述的布线膜，其中，所述布线膜为以Cu作为主要成分的布线膜，并且所述布线膜的通过X射线衍射得到的由Cu111晶面引起的衍射峰的半峰宽2θ比由通过溅射而在所述基板上成膜的相同膜厚并且与所述初始层为相同组成的单层构成的布线膜的所述的半峰宽2θ小5％以上。23.如所述1～22中任一项所述的布线膜，其中，所述基板为玻璃基板、硅基板、石英基板、树脂基板、陶瓷基板或金属基板。24.一种方法，其为通过真空气氛下的溅射而形成包含金属元素的多层结构的布线膜的方法，其中，所述方法包含以下工序：在所述基板上成膜膜厚为3nm～200nm的初始层、然后进行抽真空的工序；以及在所述初始层上成膜第二层及第二层之后的层的工序。25.如所述24所述的方法，其中，所述初始层的成膜后的抽真空后的压力为1.0×10-3Pa以下。26.如所述24或25所述的方法，其中，所述布线膜包含选自由Al、Cu、Ti、Mo、C、Si、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Ga、Ge、As、Se、Zr、Nb、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、Ta、W、Ir、Pt、Au、Pb、Ru和Bi构成的组中的至少一种金属元素的金属或合金、或者金属或合金的化合物。27.如所述24～26中任一项所述的方法，其中，所述布线膜的通过X射线衍射得到的由特定晶面引起的衍射峰中的、最大的第一衍射峰与第二大的第二衍射峰之比、即第一衍射峰第二衍射峰为5.0以上。28.如所述24～26中任一项所述的方法，其中，所述布线膜的膜厚为200nm以下，并且所述布线膜的通过X射线衍射得到的由特定晶面引起的衍射峰中的、最大的第一衍射峰与第二大的第二衍射峰之比、即第一衍射峰第二衍射峰为2.3以上。29.如所述24～28中任一项所述的方法，其中，所述布线膜的通过X射线衍射得到的由特定晶面引起的衍射峰中的、最大的第一衍射峰与第二大的第二衍射峰之比、即第一衍射峰第二衍射峰，比由通过溅射而在所述基板上成膜的相同膜厚并且与所述初始层为相同组成的单层构成的布线膜的所述第一衍射峰第二衍射峰大5％以上。30.如所述24～29中任一项所述的方法，其中，所述布线膜以Al或Cu作为主要成分。31.如所述30所述的方法，其中，所述布线膜为以Al作为主要成分的布线膜，并且所述布线膜的通过X射线衍射得到的由Al111晶面引起的衍射峰与由Al200晶面引起的衍射峰之比、即Al111Al200为5.0以上。32.如所述30所述的方法，其中，所述布线膜为以Al作为主要成分的布线膜，所述布线膜的膜厚为200nm以下，并且所述布线膜的通过X射线衍射得到的由Al111晶面引起的衍射峰与由Al200晶面引起的衍射峰之比、即Al111Al200为2.3以上。33.如所述30所述的方法，其中，所述布线膜为以Al作为主要成分的布线膜，并且所述布线膜的通过根据下述条件测定的X射线衍射得到的由Al111晶面引起的衍射峰的半峰宽2θ为0.38°以下，装置：日本理学公司制造的UltimaIII光学系统：平行光束光学系统PB[薄膜普通]X射线源：Cu-Kα射线不使用Kβ滤波器管电压：40kV管电流：40mA取样步长：0.02°步扫描速度：1°分钟。34.如所述30所述的方法，其中，所述布线膜为以Al作为主要成分的布线膜，并且所述布线膜的在由Al111晶面引起的衍射峰的位置处测定摇摆曲线时的峰间距离为15°以下。35.如所述30所述的方法，其中，所述布线膜为以Al作为主要成分的双层结构的布线膜，并且所述布线膜的通过根据下述条件测定的X射线衍射得到的由Al111晶面引起的衍射峰的强度与双层的膜厚之比为5.0[计数nm]以上，装置：日本理学公司制造的UltimaIII光学系统：平行光束光学系统PB[薄膜普通]X射线源：Cu-Kα射线不使用Kβ滤波器管电压：40kV管电流：40mA取样步长：0.02°步扫描速度：1°分钟。36.如所述30所述的方法，其中，所述布线膜为以Al作为主要成分的布线膜，并且所述布线膜的通过X射线衍射得到的由Al111晶面引起的衍射峰的半峰宽2θ比由通过溅射而在所述基板上成膜的相同膜厚并且与所述初始层为相同组成的单层构成的布线膜的所述半峰宽2θ小5％以上。37.如所述30所述的方法，其中，所述布线膜为以Cu作为主要成分的布线膜，并且所述布线膜的通过X射线衍射得到的由Cu111晶面引起的衍射峰与由Cu200晶面引起的衍射峰之比、即Cu111Cu200为5.0以上。38.如所述30所述的方法，其中，所述布线膜为以Cu作为主要成分的布线膜，并且所述布线膜的通过根据下述条件测定的X射线衍射得到的由Cu111晶面引起的衍射峰的半峰宽2θ为0.38°以下，装置：日本理学公司制造的UltimaIII光学系统：平行光束光学系统PB[薄膜普通]X射线源：Cu-Kα射线不使用Kβ滤波器管电压：40kV管电流：40mA取样步长：0.02°步扫描速度：1°分钟。39.如所述30所述的方法，其中，所述布线膜为以Cu作为主要成分的布线膜，并且所述布线膜的通过X射线衍射得到的由Cu111晶面引起的衍射峰的半峰宽2θ比由通过溅射而在所述基板上成膜的相同膜厚并且与所述初始层为相同组成的单层构成的布线膜的所述半峰宽2θ小5％以上。40.如所述24～39中任一项所述的方法，其中，所述基板为玻璃基板、硅基板、石英基板、树脂基板、陶瓷基板或金属基板。发明效果本发明的布线膜的晶体的取向性显著提高。另外，根据本发明的方法，通过在基板上成膜膜厚在特定范围内的初始层、然后在初始层上形成第二层及第二层之后的层、从而形成包含多层结构膜的布线膜，由此能够在形成初始层的溅射时显著地除去基板上的水分子，能够在不依赖于基板的温度控制、花费长时间降低压力等方法的情况下简易且有效地形成晶体的取向性显著提高的布线膜。附图说明图1是用于说明本发明的一个方式的方法中使用的溅射装置的第一例的剖视图。图2a～e是用于说明本发明的一个方式的布线膜的形成工序的一例的剖视图。图3是用于说明具有本发明的一个方式的布线膜的液晶显示装置的一例的剖视图。图4是用于说明本发明的一个方式的方法中使用的溅射装置的第二例的剖视图。图5是用于说明本发明的一个方式的方法中使用的溅射装置的第三例的剖视图。图6a～c是表示通过通常的单层成膜形成布线膜的过程的示意图。另外，图6d～g是表示通过本发明的一个方式的方法形成双层结构的布线膜的过程的示意图。图7a是利用SEM观察比较例1-1和实施例1-1中得到的膜的截面的图，图7b为图7a中的在实施例1-1中得到的膜的截面的放大图。图8a是利用SEM观察比较例1-1中得到的膜的表面的图，图8b为利用SEM观察在实施例1-1中得到的膜的表面的图。图9是表示利用XPS对比较例1-5和实施例1-7中得到的膜进行从Al膜表面向玻璃侧的深度方向分析而得到的结果的图。图10是表示在以使得总膜厚为600nm的方式成膜为双层的膜中，初始层的膜厚、所得到的膜的通过X射线衍射得到的由Al111晶面引起的衍射峰的强度[以下，也称为Al111峰强度]、与抽真空后的压力的关系的图。在此，膜厚600nm的点プ口ツト表示为单层。图11是表示在以使得总膜厚为600nm的方式成膜为双层的膜中、抽真空后的压力与所得到的膜的通过X射线衍射得到的Al111峰强度的关系的图。图12是表示在以使得总膜厚为100nm的方式成膜为双层的膜中、初始层的膜厚、所得到的膜的通过X射线衍射得到的Al111峰强度、与抽真空后的压力的关系的图。在此，膜厚100nm的点プ口ツト表示为单层。图13是表示对在比较例1-1和实施例1-1中得到的膜测定Al111晶面的摇摆曲线而得到的结果的图。具体实施方式以下，对本发明的一个方式的布线膜详细地进行说明。在本说明书中，表示数值范围的“～”以包含在其前后记载的数值作为下限值和上限值的含义使用，只要没有特别规定，则以下“～”以同样的含义使用。[布线膜]本发明的第一方式的布线膜为金属膜，其为设置在基板上的多层结构的布线膜，其特征在于，所述布线膜包含：初始层，所述初始层成膜于所述基板上，膜厚为3nm～200nm，并且包含由金属元素构成的金属或合金、或者金属或合金的化合物；和第二层及第二层之后的层，所述第二层及第二层之后的层成膜于所述初始层上，并且包含由金属元素构成的金属或合金、或者金属或合金的化合物，并且所述布线膜在初始层与第二层之间具有界面。在此，界面是指，在通过使用了SEM扫描电子显微镜：ScanningElectronMicroscopy的反射电子图像观察来观察截面时，在初始层与第二层之间存在图像上的明暗变得不连续的界线。反射电子图像中的明暗的差异一般意味着组成的差异，这些差异意味着存在晶体状态的差异、即晶体生长变得不连续的晶界，推测第二层未进行外延生长，但是不限于此。另外，在初始层与第二层之间形成界面，在其它层之间可以存在界面，也可以不存在界面。第一方式的布线膜的特征在于，初始层为含氧原子的层，并且所述布线膜的层间氧原子含有比率为2以上。在此，层间氧原子含有比率是指，使用XPSX射线光电子能谱法：X-rayPhotoelectronSpectroscopy测定深度方向分布而得到的、用初始层的氧原子数百分率值除以第二层及第二层之后的层的将表面空气氧化层除去后的区域内的氧原子数百分率值而得到的值。第一方式的布线膜的特征在于，所述布线膜的初始层氧原子含有比率为0.02～1.5。在此，初始层氧原子含有比率是通过使用XPS测定深度方向分布而得到的、用初始层中的氧原子数百分率值除以初始层中的金属原子数百分率值而得到的值。认为在初始层中还存在伴随着保水的氢原子，但是在XPS中不能捕捉氢原子，因此以氧原子检测量作为代表保水成分的值进行判断。推测第一方式的布线膜中的层间氧原子含有比率和初始层氧原子比率高是因为，在与附着在基板上的水分反应的同时、和或在通过溅射击出水分的同时成膜初始层，因此与在击出玻璃表面水分之后成膜的第二层相比，上述初始层的保水成分多。或者，认为还存在如下可能性：在初始层成膜后先停止溅射，进行抽真空，因此此时表面被空间中微量残留的水分氧化，从而氧原子量变高。尽管在连续成膜的情况下也在与附着在基板上的水分反应的同时、和或在通过溅射击出水分的同时进行膜形成，但是在此情况下水分扩散到膜中，因此认为变得均匀。需要说明的是，在以上探讨中也不能否定未与氢键合的氧的存在的可能性，但是本发明不受该可能性的影响。需要说明的是，作为层间氧原子含有比率和初始层氧原子比率的测定而言，XPS是适合的，但只要为能够测定膜中的氧与金属的原子数比的方法，就没有特别限制。作为其它方法，例如可以考虑：截面SEM-EDX扫描电子显微镜-能量色散X射线光谱：ScanningElectronMicroscopy-EnergyDispersiveX-raySpectroscopy、截面TEM-EDX透射电子显微镜-能量色散X射线光谱：TransmissionElectronMicroscope-EnergyDispersiveX-raySpectroscopy、俄歇电子能谱、RBS卢瑟福背散射谱：RutherfordBackscatteringSpectrometry、D-SIMS动态二次离子质谱：Dynamic-SecondaryIonMassSpectrometry等。需要说明的是，进行截面分析时，存在制作截面时截面层受到由空气等导致的氧化的担忧，因此，不言自明地，需要不受氧化的截面制作方法或者排除制作截面时的氧化的影响而求出分析值的方法。第一方式的布线膜的初始层包含由金属元素构成的金属或合金、或者金属或合金的化合物，优选包含由金属元素构成的金属或合金。另外，本发明的第一方式的布线膜的第二层及第二层之后的层包含由金属元素构成的金属或合金、或者金属或合金的化合物，优选包含由金属元素构成的金属或合金。作为金属或合金的化合物而言，例如可以列举金属或合金的氧化物和氮化物。所述金属元素优选为选自由Al、Cu、Ti、Mo、C、Si、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Ga、Ge、As、Se、Zr、Nb、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、Ta、W、Ir、Pt、Au、Pb、Ru和Bi构成的组中的至少一种，更优选为Al、Cu、Ti、Mo，进一步优选为Al或Cu。本发明的第二方式的布线膜为通过真空气氛下的溅射而设置在基板上的包含金属元素的多层结构的布线膜，其中，所述布线膜包含：初始层，所述初始层成膜在所述基板上，并且膜厚为3nm～200nm；和第二层及第二层之后的层，所述第二层及第二层之后的层是在所述初始层的成膜后进行抽真空、然后成膜在所述初始层上的层。第二方式的布线膜的初始层的成膜后的抽真空后的压力优选为1.0×10-3Pa以下，更优选为5.0×10-4Pa以下，进一步优选为3.0×10-4Pa以下。通过初始层的成膜后的抽真空而将压力调节为1.0×10-3Pa以下，然后在初始层上成膜第二层及第二层之后的层，由此布线膜的晶体的取向性提高。第二方式的布线膜优选由选自由Al、Cu、Ti、Mo、C、Si、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Ga、Ge、As、Se、Zr、Nb、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、Ta、W、Ir、Pt、Au、Pb、Ru和Bi构成的组中的至少一种金属元素的金属或合金、或者金属或合金的化合物构成，更优选由Al、Cu、Ti、Mo的金属元素的金属或合金、或者金属或合金的化合物构成，进一步优选由Al或Cu的金属元素的金属或合金、或者金属或合金的化合物构成。第二方式的布线膜的初始层优选包含由金属元素构成的金属或合金、或者金属或合金的化合物，更优选包含由金属元素构成的金属或合金。另外，本发明的第二方式的布线膜的第二层及第二层之后的层优选包含由金属元素构成的金属或合金、或者金属或合金的化合物，更优选包含金属或合金。第一方式和第二方式的布线膜的初始层与第二层及第二层之后的层可以是相同的组成，也可以是不同的组成。另外，初始层与第二层及第二层之后的层的主要成分可以相同，也可以不同，但是基于能够用同一个靶进行双层处理、在成膜后实施的蚀刻中不需要多种溶液，从提高生产率的观点考虑，优选主要成分相同。第一方式和第二方式的布线膜优选以Al或Cu作为主要成分。在本发明中，主要成分表示含有50原子％以上的作为主要成分的元素。因此，“以Al作为主要成分”是指，“含有50原子％以上的Al原子”。第一方式和第二方式的布线膜更优选含有75原子％以上的Al或Cu，进一步优选含有90原子％以上的Al或Cu，特别优选由Al或Cu构成。第一方式和第二方式的布线膜中的初始层的膜厚为3nm～200nm，优选为4nm～100nm，更优选为5nm～50nm，进一步优选为10nm～30nm。通过将初始层的膜厚设定为3nm～200nm，得到晶体的取向性优异的布线膜。初始层的膜厚优选根据布线膜的膜厚来调节。具体而言，在布线膜的膜厚为200nm以下的情况下，初始层的膜厚优选为3nm以上，更优选为5nm以上，进一步优选为10nm以上。另外，初始层的膜厚优选为布线膜的膜厚的50％以下，更优选为30％以下，进一步优选为10％以下。通过将初始层的膜厚设定为3nm以上且布线膜的膜厚的50％以下，得到晶体的取向性优异的布线膜。第一方式和第二方式的布线膜的膜厚优选为30nm～1000nm，更优选为50nm～700nm，进一步优选为100nm～400nm。通过布线膜的膜厚为30nm以上，能够防止电阻由于电子的表面散射的影响而升高，并且由于优质的第二层及第二层之后的层的膜厚变厚，因此能够进一步提高膜品质。另外，通过膜厚为1000nm以下，能够防止膜由于膜应力而容易从基板剥离，并且能够提高生产效率。第一方式和第二方式的布线膜的多层结构的总层数优选为2～10，更优选为2～5，进一步优选为2～4。通过将多层结构的总层数设定为2～10，能够兼顾膜品质的提高与成膜工序花费的生产节拍的缩短。第一方式的布线膜优选层间氧原子含有比率为2以上，更优选为4以上。另外，在第二层及第二层之后的层中完全不含有氧的情况下，层间氧原子含有比率会变得无限大。另外，第一方式的布线膜的初始层氧原子含有比率优选为0.02～1.5，更优选为0.02～0.5，进一步优选为0.02～0.3，特别优选为0.03～0.15。由此，能够得到能够提高第二层及第二层之后的层的晶体取向的合适的初始层。第一方式和第二方式的布线膜的通过X射线衍射得到的由特定晶面引起的衍射峰中的、最大的第一衍射峰与第二大的第二衍射峰之比、即第一衍射峰第二衍射峰优选为5.0以上，更优选为8.0以上，进一步优选为12.0以上，特别优选为15.0以上。第一方式和第二方式的布线膜的膜厚为200nm以下，并且所述布线膜的通过X射线衍射得到的由特定晶面引起的衍射峰中的、最大的第一衍射峰与第二大的第二衍射峰之比、即第一衍射峰第二衍射峰优选为2.3以上，更优选为3.5以上，进一步优选为5.0以上。第一方式和第二方式的布线膜的通过X射线衍射得到的由特定晶面引起的衍射峰中的、最大的第一衍射峰与第二大的第二衍射峰之比、即第一衍射峰第二衍射峰，优选比由通过溅射而在所述基板上成膜的相同膜厚并且与所述初始层为相同组成的单层构成的布线膜的所述第一衍射峰第二衍射峰大5％以上，更优选大10％以上，进一步优选大20％以上，特别优选大40％以上。第一方式和第二方式的布线膜为以Al作为主要成分的布线膜，并且所述布线膜的通过X射线衍射得到的由Al111晶面引起的衍射峰与由Al200晶面引起的衍射峰之比、即Al111Al200优选为5.0以上，更优选为10.0以上，进一步优选为15.0以上。通过Al111Al200为5.0以上，能够得到取向性提高的布线膜。Al111Al200的上限没有特别限制，典型地为50.0以下。第一方式和第二方式的布线膜为以Al作为主要成分的布线膜，所述布线膜的膜厚为200nm以下，并且所述布线膜的通过X射线衍射得到的由Al111晶面引起的衍射峰与由Al200晶面引起的衍射峰之比、即Al111Al200优选为2.3以上，更优选为3.5以上，进一步优选为5.0以上。通过Al111Al200为2.3以上，能够得到取向性提高的布线膜。Al111Al200的上限没有特别限制，典型地为50.0以下。第一方式和第二方式的布线膜为以Al作为主要成分的布线膜，并且在用通过根据下述条件测定的X射线衍射得到的由Al111晶面引起的峰的半峰宽来限定微晶尺寸时，所述衍射峰的半峰宽20优选为0.38°以下，更优选为0.36°以下，进一步优选为0.34°以下。通过所述衍射峰的半峰宽2θ为0.38°以下，能够得到取向性提高的布线膜。所述衍射峰的半峰宽2θ的下限没有特别限制，典型地为0.30°以上。装置：日本理学公司制造的UltimaIII光学系统：平行光束光学系统PB[薄膜普通]X射线源：Cu-Kα射线不使用Kβ滤波器管电压：40kV管电流：40mA取样步长：0.02°步扫描速度：1°分钟第一方式和第二方式的布线膜为以Al作为主要成分的布线膜，关于Al111晶面的摇摆曲线ω扫描的峰间距离优选为15[°]以下，更优选为12[°]以下，进一步优选为9[°]以下。通过所述峰间距离为15[°]以下，得到晶体的取向性优异、减少了晶轴的分散起伏、变动的取向膜。该峰间距离的下限没有特别限制，典型地为2[°]以上。通常，取向性的强弱由摇摆曲线的半峰宽表示的情况较多，在第一方式和第二方式的布线膜中，摇摆曲线具有两个极大点，因此在本发明中，用双峰的峰间距离代替半峰宽来讨论取向性的强弱。例如以如下所示的方式测定所述摇摆曲线的峰间距离。进行X射线衍射测定，在由Al111晶面引起的衍射峰的位置X射线入射方向与X射线衍射方向所成的角2θ＝38.5°的位置固定2θ，仅改变入射X射线与晶体表面所成的角ω而进行X射线衍射测定，在所得到的衍射强度分布摇摆曲线中，使用通过pseudo-Voight函数进行峰拟合以使得本波形成为双峰的合成波形时的各峰的峰间距离代替半峰宽。各峰的峰间距离优选为15[°]以下，更优选为12[°]以下，进一步优选为9[°]以下。该峰间距离的下限没有特别限制，典型地为2[°]以上。第一方式和第二方式的布线膜为以Al作为主要成分的双层结构的布线膜，并且所述布线膜的通过根据下述条件测定的X射线衍射得到的由Al111晶面引起的衍射峰的强度与双层的膜厚之比优选为5.0[计数nm]以上，更优选为7.0[计数nm]以上，进一步优选为10.0[计数nm]以上。所述比的上限没有特别限制，典型地为30.0[计数nm]以下。装置：日本理学公司制造的UltimaIII光学系统：平行光束光学系统PB[薄膜普通]X射线源：Cu-Kα射线不使用Kβ滤波器管电压：40kV管电流：40mA取样步长：0.02°步扫描速度：1°分钟第一方式和第二方式的布线膜为以Al作为主要成分的布线膜，并且所述布线膜的通过X射线衍射得到的由Al111晶面引起的衍射峰的半峰宽2θ优选比由通过溅射而在所述基板上成膜的相同膜厚并且与所述初始层为相同组成的单层构成的布线膜的所述半峰宽2θ小5％以上，更优选小10％以上，进一步优选小15％以上。通过在所述范围内，能够得到晶体的取向性提高的布线膜。第一方式和第二方式的布线膜为以Cu作为主要成分的布线膜，并且所述布线膜的通过X射线衍射得到的由Cu111晶面引起的衍射峰与由Cu200晶面引起的衍射峰之比、即Cu111Cu200优选为5.0以上，更优选为5.5以上，进一步优选为6.0以上。通过Cu111Cu200为5.0以上，能够得到取向性提高的布线膜。Cu111Cu200的上限没有特别限制，典型地为10.0以下。第一方式和第二方式的布线膜为以Cu作为主要成分的布线膜，并且所述布线膜的通过根据下述条件测定的X射线衍射得到的由Cu111晶面引起的衍射峰的半峰宽2θ优选为0.38°以下，更优选为0.36°以下，进一步优选为0.34°以下。所述衍射峰的半峰宽2θ的下限没有特别限制，典型地为0.30°以上。装置：日本理学公司制造的UltimaIII光学系统：平行光束光学系统PB[薄膜普通]X射线源：Cu-Kα射线不使用Kβ滤波器管电压：40kV管电流：40mA取样步长：0.02°步扫描速度：1°分钟第一方式和第二方式的布线膜为以Cu作为主要成分的布线膜，并且所述布线膜的通过X射线衍射得到的由Cu111晶面引起的衍射峰的半峰宽2θ优选比由通过溅射而在所述基板上成膜的相同膜厚并且与所述初始层为相同组成的单层构成的布线膜的所述半峰宽2θ小5％以上，更优选小10％以上，进一步优选小15％以上。通过在所述范围内，能够得到晶体的取向性提高的布线膜。第一方式和第二方式的布线膜优选基板为玻璃基板、硅基板、石英基板、树脂基板、陶瓷基板或金属基板。[布线膜的形成方法]本发明的一个方式的方法是通过真空气氛下的溅射而形成包含金属元素的多层结构的布线膜的方法，其中，所述方法包含以下工序：在所述基板上成膜膜厚为3nm～200nm的初始层、然后进行抽真空的工序；和在所述初始层上成膜第二层及第二层之后的层的工序。图1的标记1表示本发明的一个方式的方法中使用的溅射装置的第一例。溅射装置1具有真空槽2，在真空槽2内配置有包含金属元素的溅射靶11。在真空槽2内连接有抽真空系统9和气体导入系统8。使基板21保持在基板支架7上，然后运送到真空槽2内，利用抽真空系统9对真空槽2内进行抽真空，形成真空气氛。溅射靶11与配置在真空槽2外部的电源5连接，在从气体导入系统8导入溅射气体的同时，由电源5对溅射靶11施加电压，在溅射靶11表面附近形成等离子体，在使溅射靶11进行溅射时，构成溅射靶11的物质的粒子被释放出来，到达基板21表面，如图2b所示形成初始层22。形成初始层22时的真空槽2内的压力通常为1.0×10-3Pa～1.0×10-7Pa，优选为5.0×10-4Pa～1.0×10-6Pa，更优选为3.0×10-4Pa～1.0×10-5Pa。另外，形成初始层22时的真空槽2内的温度通常为25℃～250℃，优选为75℃～200℃，更优选为100℃～150℃。在初始层22的膜厚形成为3nm～200nm时，停止电压施加和溅射气体的导入。在形成初始层23后进行抽真空，然后在真空槽2内使溅射靶11进行溅射时，在初始层22的表面形成第二层及第二层之后的层23[图2c]。形成初始层22后的抽真空后的压力优选为1.0×10-3Pa以下，更优选为5.0×10-4Pa以下，进一步优选为3.0×10-4Pa以下。在本说明书中，“初始层的成膜后的抽真空后的压力”是指，在初始层的成膜后进行抽真空之后且在导入溅射气体之前、即、即将成膜第二层之前的压力。另外，形成第二层及第二层之后的层23时的真空槽2内的温度通常为25℃～250℃，优选为75℃～200℃，更优选为100℃～150℃。在第二层及第二层之后的层23形成为规定膜厚时，将基板21从溅射装置1中运出。在基板21的表面如图2c所示形成有包含初始层22和第二层及第二层之后的层23的布线膜24。接着，如图2d所示，在布线膜24的表面配置图案化的抗蚀剂膜26，将在抗蚀剂膜26底面露出的布线膜24暴露于弱酸等蚀刻液、蚀刻气体中时，如图2e所示，形成了图案化的布线膜25。在初始层22与第二层及第二层之后的层23的主要成分相同的情况下，可以用相同组成的蚀刻液或者蚀刻气体进行蚀刻，在对初始层22进行蚀刻时，无需重新配置抗蚀剂膜。在上述例中，在同一溅射装置1的真空槽2内形成了初始层22和第二层及第二层之后的层23，但是本发明不限于此。如后述的图4、5所示，也可以在不同的真空槽内使不同的靶进行溅射而形成初始层22和第二层及第二层之后的层23。上述基板21为在后述的TFT基板、半导体装置中使用的基板，例如可以列举玻璃基板、硅基板、石英基板、树脂基板、陶瓷基板、金属基板等。需要说明的是，如果在同一溅射装置1内部连续地成膜初始层22和第二层及第二层之后的层23，则没有初始层22和第二层及第二层之后的层23暴露于大气的担忧，因此能够提高膜质量。图4的标记80表示第二例的溅射装置，图5的标记90表示第三例的溅射装置。第二、第三例的溅射装置80、90具有：第一真空槽2a、与第一真空槽2a连接的第二真空槽2b、配置在第一真空槽2a内的第一溅射靶11a、以及配置在第二真空槽2b内的第二溅射靶11b。对使用第二例、第三例的溅射装置80、90形成布线膜用多层结构膜的工序进行说明。首先，利用抽真空系统9在第一、第二真空槽2a、2b内部形成真空气氛，在保持该真空气氛的状态下，将基板21运入第一真空槽2a内部，保持在基板支架7a上。在持续进行抽真空的同时，从气体导入系统8向第一真空槽2a内导入溅射气体，由电源5对第一溅射靶11a施加电压，在真空气氛中使第一溅射靶11a进行溅射，成膜初始层22，然后停止溅射气体的导入，进行抽真空。第二、第三例的溅射装置80、90中，在不同的真空槽2a～2c内形成不同的真空气氛。因此，与如第一例的溅射装置1那样在同一真空槽2内交替地形成不同的真空气氛的情况相比，从结束一个膜的成膜起到成膜下一个膜为止的抽真空不需要长时间。另外，由于能够同时在各真空槽内成膜初始层和第二层及第二层之后的层，因此能够提高生产率。此外，如果如第三例的溅射装置90那样使真空槽2a～2c的数量与构成布线膜24、25的多层结构的层数相同，在专用的真空槽2a～2c内成膜各膜，则能够提高生产率。第二例的溅射装置80可以如图4所示将第一、第二真空槽2a、2b直接连接，也可以将第一、第二真空槽2a、2b与同一运送室连接，经由该运送室在第一、第二真空槽2a、2b之间运入运出基板21。另外，第三例的溅射装置90也可以如图5所示将第一～第三真空槽2a～2c串联连接，将基板21从第一真空槽2a经由第二真空槽2b向第三真空槽2c运送。此外，也可以将第一～第三真空槽2a～2c与同一运送室连接，经由该运送室将基板21在第一～第三真空槽2a～2c之间运入运出。由于不论在哪种情况下，基板21均在不与大气接触的条件下在真空槽间移动，因此能够得到膜质量良好的布线膜24、25。将成膜有初始层22的基板21从第一真空槽2a运入第二真空槽2b，保持在基板支架7b上。在对第二真空槽2a内进行抽真空的同时，导入溅射气体，在真空气氛中使第二溅射靶11b进行溅射从而成膜第二层及第二层之后的层23。图6a～c是表示通过通常的单层成膜形成布线膜的过程的示意图。另外，图6d～g是表示通过本发明的一个方式的方法形成双层结构的布线膜的过程的示意图。如图6a和d所示，在处理前的基板21的表面附近存在Si-OH基、水分子17。如图6b～c所示，在通常的单层成膜中，在使包含金属元素的靶进行溅射从而在基板21上成膜单层18时，由于被溅射的金属原子与Si-OH基以及吸附的水分子的相互作用、溅射时被击出的基板21附近的水分子17的影响，得到晶体的取向性降低的布线膜。在本发明的一个方式的方法中，通过真空气氛下的溅射，在基板16上成膜膜厚3nm～200nm的初始层22[图6e～f]，然后先停止成膜而进行抽真空，然后在初始层22上成膜第二层及第二层之后的层23，从而形成布线膜24[图6g]。认为在本发明中，通过成膜初始层23的溅射而成为最大限度地去除了基板表面附近的水分的状态[图6f]，在初始层23上成膜第二层及第二层之后的层，由此晶体的取向性提高，能够得到优质的布线膜24。这样的假设可以被认为是通过本发明的一个方式的方法而发挥效果的理由，但是本发明不限于此。[电子装置]接着，参考图3，对作为具有本发明的布线膜的电子装置的一例的液晶显示装置进行说明。在图3中，液晶显示装置3具有TFT基板75和滤色器基板95。该液晶显示装置3为有源矩阵型，TFT基板75在玻璃基板76上具有显示像素80、存储电容84以及TFT薄膜晶体管85。存储电容84具有存储电极83，显示像素80具有像素电极81，TFT85具有栅电极86、源电极87以及漏电极88。存储电极83、栅电极86、源电极87以及漏电极88由上述布线膜24、25构成。另外，TFT85具有栅极绝缘膜89、沟道半导体层91、源极半导体层92以及漏极半导体层93。漏电极88的表面的一部分露出，与从显示像素80延伸设置的像素电极81接触。像素电极81延伸设置到存储电容84所处的部分，隔着绝缘膜栅极绝缘膜89与配置在玻璃基板76上的存储电极83相对地配置，通过相对的部分形成存储电容。在源极半导体层92与漏极半导体层93之间的、沟道半导体层91的单面配置有栅电极86和栅极绝缘膜89。源极半导体层92与漏极半导体层93彼此隔开地与沟道半导体层91的相反侧的面接触。源电极87和漏电极88分别与源极半导体层92和漏极半导体层93的表面接触。栅电极86和源电极87被导出到TFT85的外部，从而被构成为能够对其施加来自外部电源的电压。TFT85和滤色器基板95隔开一定距离设置，液晶49被封入其间。滤色器基板95的黑矩阵97配置在与TFT85相对的位置，滤色器98配置在与显示像素80相对的位置。在滤色器基板95中的至少与显示像素80相对的部分配置有共用电极100。像素电极81和共用电极100例如可以是ITO等透明的导电膜。TFT基板75具有偏振板94，滤色器基板95具有偏振板104。当通过TFT85的导通和切断对像素电极81与共用电极100之间施加电压时，显示像素80上的液晶49的取向发生变化，由此改变通过液晶49的光的偏振方向，控制朝向液晶显示装置3外部的、照射到显示像素80上的光的阻隔和透过。存储电极83、栅电极86、源电极87以及漏电极88由通过本发明形成的布线膜24、25构成，初始层22与玻璃基板76或半导体层92、93接触。存储电极83和栅电极86与玻璃基板76接触，源电极87和漏电极88与半导体层源极半导体层92、漏极半导体层93接触。需要说明的是，具有本发明的布线膜的电子装置不限于液晶显示装置，基板也不限于玻璃基板。只要为在表层存在水分而阻碍膜的晶体生长的情况，则能够同样地发挥效果。例如也可以将半导体基板硅基板、石英基板、树脂基板、陶瓷基板、金属基板用作基板。实施例以下，通过实施例对本发明进行说明，但是本发明不限于这些实施例。需要说明的是，关于表中的物性的各测定结果，空白栏表示未测定。[评价方法]X射线衍射的测定通过以下装置和条件测定了X射线衍射。装置：日本理学公司制造的UltimaIII光学系统：平行光束光学系统PB[薄膜普通]X射线源：Cu-Kα射线不使用Kβ滤波器检测器：闪烁计数器入射侧梭拉狭缝垂直开口角度：5°受光侧梭拉狭缝水平开口角度：0.5°管电压：40kV管电流：40mA衰减器ATT：开放发散狭缝DS：1.00mm散射狭缝SS：开放受光狭缝RS：开放扫描模式：2θω扫描2θ扫描范围：根据构成膜的金属来改变。在Al膜的情况下，为37.5°～39.5°和44.0°～45.5°取样步长：0.02°步扫描速度：1°分钟需要说明的是，表和图中的值是由未对所得到的波形进行各种处理平滑化、除去BG、除去Kα等的原始波形求出的值。摇摆曲线的峰间距离对X射线衍射图案进行X射线衍射测定，在由Al111晶面引起的衍射峰的位置X射线入射方向与X射线衍射方向所成的角2θ＝38.5°的位置固定2θ，仅改变入射X射线与晶体表面所成的角ω而进行X射线衍射测定，在所得到的衍射强度分布摇摆曲线中，测定了用pseudo-Voight函数进行峰拟合以使得本波形成为双峰的合成波形时的双峰的峰间距离来代替半峰宽。在测定摇摆曲线时，自上述2θω测定的条件改变以下内容而进行了测定。扫描模式：ω扫描ω范围：3°～33°取样步长：0.1°步扫描速度：3°分钟需要说明的是，表和图中的值是由未对所得到的波形进行各种处理平滑化、除去BG、除去Kα等的原始波形求出的值。Dektak膜厚通过ULVAC公司制造的Dektak150在下述条件下测定了Dektak膜厚。扫描类型：标准扫描触针半径：12.5μmR扫描长度：2000μm时间：13秒水平分辨率：0.513μm数据点载荷：3.00mg垂直测定范围：6.5μm轮廓：Hills&ValleysSEM使用日立高新技术公司制造的SU8230以2.0kV或5.0kV的加速电压以22000倍、100000倍进行了观察。截面SEM膜厚对于截面SEM膜厚而言，基于在SEM的截面观察中得到的图像，通过与比例尺的对比计算出膜厚。需要说明的是，关于计算膜厚的方法，如果能够以适当的分辨率计算出膜厚，则可以采用TEM的截面观察等其它方法。XPSXPS通过ULVAC-PHI公司制造的Quantera-SXM在下述条件下进行了测定。X射线源：单色化AlKα射线光电子检测角度：与试样表面成45°通能：140eV步进能：0.5eV步溅射离子：Ar+溅射离子的加速电压：1kV溅射离子的光栅尺寸：2×2mm2对于深度方向分布而言，预先求出膜厚已知的硅片上热氧化膜SiO2膜的溅射速率，将使用该值计算出的硅片上热氧化膜SiO2膜的换算深度作为深度方向分布的横轴。将深度方向分布的测定间距设定为以硅片上热氧化膜SiO2膜的换算深度计为3.0nm以下。实施例中的硅片上热氧化膜SiO2膜的溅射速率为2.5nm分钟，测定间距为2.5nm。[试验例1]通过X射线衍射进行的分析实施例1-1在实施例1-1中，作为第一例的溅射装置1，使用具有真空槽的立式直列式溅射装置岛津制作所制造制作了布线膜。实施例1-1的布线膜24的结构如图2c中示出的剖视图所示。作为基板21，使用了尺寸为40mm×40mm×厚度0.5mm的玻璃基板。初始层的成膜将基板21保持在基板支架7上，然后向真空槽2内运送，利用抽真空系统9对真空槽2内进行抽真空以使得压力为5.5×10-4Pa，成为真空气氛。使用包含铝纯度：4N，运送方向宽度：127mm，运送正交方向宽度：559mm的溅射靶作为溅射靶11，在将基板21的温度保持在110℃的状态下，从气体导入系统8导入Ar气体作为溅射气体，调压为4.0×10-1Pa并稳定时启动电源，将2.0kW的电功率供给至溅射靶11，在将基板21静置在溅射靶11的面外的状态下进行2分钟预溅射，然后以运送速度1347mm分钟通过靶前面，通过直流磁控溅射法在基板21上成膜了初始层22。通过以该运送速度进行成膜，包含铝的初始层22的膜厚成为20nm。第二层的成膜在基板21已经通过靶前的时刻，停止电压施加和溅射气体的导入，进行抽真空。抽真空至压力达到3.4×10-4Pa，然后再次从气体导入系统8导入Ar气体作为溅射气体，调压至4.0×10-1Pa，然后启动电源，将2.0kW的电功率供给至包含铝的溅射靶11，在将基板静置在溅射靶11的面外的状态下进行2分钟预溅射，然后以运送速度47mm分钟通过靶前面以使得包含铝的第二层23的膜厚成为580nm，通过直流磁控溅射法在初始层22上成膜了第二层23。在基板21已经通过靶前的时刻停止溅射气体的导入，将基板21运出到溅射装置1外，得到了包含初始层22和第二层23的布线膜24。将实施例1-1的成膜条件示于表1。实施例1-2在表1所示的条件下，将初始层22的成膜条件下的电源设定为1.0kW的电功率，将运送速度设定为1347mm分钟，在基板21上成膜了膜厚10nm的初始层22，然后将第二层23的成膜条件下的运送速度设定为46mm分钟，在初始层22上成膜了膜厚590nm的第二层23，除此以外与实施例1-1同样地进行，得到了布线膜24。实施例1-3在表1所示的条件下，将初始层22的成膜条件下的运送速度设定为540mm分钟，在基板21上成膜了膜厚50nm的初始层22，然后将第二层23的成膜条件下的运送速度设定为49mm分钟，在初始层22上成膜了膜厚550nm的第二层23，除此以外与实施例1-1同样地进行，得到了布线膜24。实施例1-4在表1所示的条件下，将初始层22的成膜条件下的运送速度设定为270mm分钟，在基板21上成膜了膜厚l00nm的初始层22，然后将第二层23的成膜条件下的运送速度设定为54mm分钟，在初始层22上成膜了膜厚500nm的第二层23，除此以外与实施例1-1同样地进行，得到了布线膜24。实施例1-5在表1所示的条件下，将初始层22的成膜条件下的电源设定为1.0kW的电功率，将运送速度设定为1346mm分钟，在基板21上成膜了膜厚10nm的初始层22，然后将第二层23的成膜条件下的运送速度设定为302mm分钟，在初始层22上成膜了膜厚90nm的第二层23，除此以外与实施例1-1同样地进行，得到了布线膜24。实施例1-6在表1所示的条件下，将初始层22的成膜条件下的运送速度设定为1345mm分钟，在基板21上成膜了膜厚20nm的初始层22，然后将第二层23的成膜条件下的运送速度设定为338mm分钟，在初始层22上成膜了膜厚80nm的第二层23，除此以外与实施例1-1同样地进行，得到了布线膜24。实施例1-7在表1所示的条件下，将初始层22的成膜条件下的运送速度设定为1345mm分钟，在基板21上成膜了膜厚20nm的初始层22，然后将第二层23的成膜条件下的运送速度设定为540mm分钟，在初始层22上成膜了膜厚50nm的第二层23，除此以外与实施例1-1同样地进行，得到了布线膜24。比较例1-1在表1所示的条件下，将运送速度设定为45mm分钟，通过1次溅射成膜至膜厚600nm，除此以外，与实施例1-1同样地进行，得到了单层膜。比较例1-2在表1所示的条件下，将初始层22和第二层23的成膜时的运送速度设定为90mm分钟，分别成膜至膜厚300nm，除此以外，与实施例1-1同样地进行，得到了双层结构的膜。比较例1-3在表1所示的条件下，将运送速度设定为45mm分钟，通过1次溅射成膜至600nm，除此以外，与实施例1-1同样地进行，得到了单层膜。比较例1-4在表1所示的条件下，将运送速度设定为271mm分钟，通过1次溅射成膜至100nm，除此以外，与实施例1-1同样地进行，得到了单层膜。比较例1-5在表1所示的条件下，将运送速度设定为386mm分钟，通过1次溅射成膜至70nm，除此以外，与实施例1-1同样地进行，得到了单层膜。将通过X射线衍射对实施例1-1～1-7、比较例1-1～1-5中得到的试验样品进行评价而得到的结果示于表1、图10～13。表1中，“-”表示未评价。如表1所示，与作为通常的单层成膜的比较例1-1、比较例1-3以及比较例1-4相比，作为本发明的布线膜的实施例1-1～1-4的Al111峰强度高。另外，在表1中，与实施例1-1～1-4相比，初始层的膜厚大于200nm的比较例1-2的Al111峰强度低。Al111峰强度表示向Al111面取向的微晶的量体积，Al111峰强度的数值越大，表示晶体越生长、微晶的量越大、方向越一致。因此可知，与比较例相比，本发明的布线膜的晶体的取向性优异。另外，如表1所示，可知作为本发明的布线膜的实施例1-1～1-5的Al111Al200为5.0以上，并且由向Al111面高度取向的优质的晶体构成。此外，作为本发明的布线膜的实施例1-1～1-5的Al111峰强度与双层的膜厚之比为5.0[计数nm]以上，并且向Al111面的取向性优异。图10和图12是表示初始层的膜厚、所得到的膜的通过X射线衍射得到的Al111峰强度与抽真空后的压力的关系的图。如图10所示，尽管初始层的成膜后的抽真空后的压力实施例1-1、比较例1-2与单层成膜前的抽真空后的压力比较例1-1为同等程度，但是与比较例1-1及比较例1-2相比，实施例1-1的Al111峰强度显著高。另外，如表1和图12所示可知，通过将初始层的膜厚设定为3nm～200nm以下，能够在不花费长时间使真空槽内的压力降低的情况下形成晶体的取向性优异的布线膜。图11是表示抽真空后的压力与所得到的膜的通过X射线衍射得到的Al111峰的强度的关系的图。如图11所示，与比较例1-1和比较例1-3相比，实施例1-1的Al111峰强度显著高。图13是表示对在比较例1-1和实施例1-1中得到的膜测定Al111晶面的摇摆曲线而得到的结果的图。如表1和图13所示可知，与比较例1-1～1-5相比，作为本发明的布线膜的实施例1-1～1-4、实施例1-7为摇摆曲线的峰间距离小、晶体的取向性优异、减少了晶轴的分散的取向膜。由这些结果可知，根据本发明的方法，能够在不花费长时间使真空槽内的压力降低的情况下形成晶体的取向性优异的布线膜。[试验例2]利用SEM进行的观察图7a和b、图8a和b为利用SEM观察比较例1-1和实施例1-1中得到的膜的图。图7a和b是剖视图SEM条件：2.0kV，22000倍，图7b是图7a中的实施例1-1的放大图SEM条件2.0kV，100000倍。另外，图8a和图8b为利用SEM分别观察比较例1-1和实施例1-1中得到的膜的表面而得到的图观察条件：5.0kV，100000倍。如图7a和b所示，比较例1-1的膜连续地生长，另一方面，实施例1-1明确地存在初始层与第二层的边界，是不连续的。通过如此利用SEM观察膜截面，能够证明是本发明的第一方式和第二方式的布线膜。作为是第一方式和第二方式的布线膜的证明，例示了SEM观察，但证明不限于此。如图7a和b、图8a和b所示，与比较例1-1相比，实施例1-1显示出整体上大粒径的晶体的比例变多、并且粒径的变动也变小的倾向。而且，表面的粗糙度也降低。[试验例3]利用XPS进行的分析图9a和b是表示利用XPS对分别在比较例1-5和实施例1-7中得到的膜进行从Al膜表面向玻璃侧的深度方向分析而得到的结果的图。另外，表2中示出从该数据读取的、自表面起的深度处的O、Al的组成。比较例1-5中，深度约0nm～约10nm为存在表面的空气氧化层的区域，深度约10nm～约60nm为存在单层Al膜的区域，深度约60nm～约80nm的范围为存在单层Al膜和玻璃的区域。在深度约60nm～约80nm的区域，氧原子量增加。在深度约50nm附近，氧原子量变成0原子％。在实施例1-7中，深度约0nm～约10nm同样地为存在表面的空气氧化层的区域，深度约10nm～约40nm为存在第二层Al膜的区域，深度约40nm～约60nm为存在第二层Al膜和初始层的区域，深度约60nm～约80nm为存在初始层和玻璃的区域。可知在实施例1-7中，深度约40nm～约60nm的氧原子量增加，在深度约50nm附近，氧原子量显示为极大、达到5原子％。此时，层间氧原子含有比率为12.5，初始层氧原子含有比率为0.053。如此可知，实施例1-7的初始层氧原子量大于比较例1-5的初始层氧原子量。推测这样的结果是因为，实施例1-7中，在与附着在基板上的水分反应的同时、和或在通过溅射击出水分的同时成膜初始层，因此与在击出玻璃表面水分之后成膜的第二层相比，保水成分多。表2[试验例4]通过X射线衍射的分析实施例2-1在实施例2-1中，作为第一例的溅射装置1，使用具有真空槽的立式直列式溅射装置岛津制作所制造制作了布线膜。在表3所示的条件下，使用包含钼纯度：4N，运送方向宽度：127mm，运送正交方向宽度：559mm的溅射靶作为溅射靶11，除此以外以与实施例1-1同样的方式得到了布线膜24。比较例2-1在表3所示的条件下，将运送速度设定为101mm分钟，通过1次溅射成膜至膜厚300nm，除此以外与实施例2-1同样地进行，得到了单层膜。将通过X射线衍射对所得到的试验样品进行评价而得到的结果示于表3。关于Mo膜的2θ扫描范围，如下所示在覆盖来自晶体的各hkl面的衍射线位置的范围内进行了测定。Mo110：39.0°～41.0°，Mo211：73.0°～75.0°表3如表3所示，尽管初始层的成膜后的抽真空后的压力实施例2-1与单层成膜前的抽真空后的压力比较例2-1为同等程度，但是与比较例2-1相比，实施例2-1的Mo110峰强度、Mo110Mo211显著高。因此可知，根据本发明的方法，能够在不花费长时间使真空槽内的压力降低的情况下形成晶体的取向性优异的布线膜。[试验例5]通过X射线衍射的分析实施例3-1在实施例3-1中，作为第一例的溅射装置1，使用具有真空槽的立式直列式溅射装置岛津制作所制造制作了布线膜。在表4所示的条件下，使用包含钛纯度：4N，运送方向宽度：127mm，运送正交方向宽度：559mm的溅射靶作为溅射靶11，除此以外，以与实施例1-1同样的方式得到了布线膜24。比较例3-1在表4所示的条件下，将运送速度设定为73mm分钟，通过1次溅射成膜至膜厚300nm，除此以外，与实施例3-1同样地进行，得到了单层膜。将通过X射线衍射对所得到的试验样品进行评价而得到的结果示于表4。关于Ti膜的2θ扫描范围，如下所示在覆盖来自晶体的各hkl面的衍射线位置的范围内进行了测定。Ti002：37.0°～39.0°，Ti004：81.5°～83.5°表4如表4所示，尽管初始层的成膜后的抽真空后的压力实施例3-1与单层成膜前的抽真空后的压力比较例3-1为同等程度，但是与比较例3-1相比，实施例3-1的Ti002峰强度和Ti002Ti004显著高。因此可知，根据本发明的方法，能够在不花费长时间使真空槽内的压力降低的情况下形成晶体的取向性优异的布线膜。[试验例6]通过X射线衍射进行的分析实施例4-1在实施例4-1中，在表5所示的条件下，使用直列式溅射装置日真精机公司制造，使用包含铜纯度：4N，运送方向宽度：70mm，运送正交方向宽度：200mm的溅射靶作为溅射靶11，以与实施例1-1同样的方式得到了布线膜24。比较例4-1在表5所示的条件下，将运送速度设定为66mm分钟，通过1次溅射成膜至膜厚300nm，除此以外与实施例4-1同样地进行，得到了单层膜。将通过X射线衍射对所得到的试验样品进行评价而得到的结果示于表5。表5如表5所示可知，与比较例4-1相比，作为本发明的布线膜的实施例4-1的Cu111Cu200的值高，晶体的取向性优异。对本发明详细地并且参照特定的实施方式进行了说明，但是在不脱离本发明的精神和范围的情况下可以加入各种变更、修正，这对于本领域技术人员而言是显而易见的。本申请基于2018年4月11日申请的日本专利申请2018-076267和2019年4月8日申请的日本专利申请2019-073658，将其内容作为参考并入本文中。

权利要求：1.一种布线膜，其为设置在基板上的多层结构的布线膜，其特征在于，所述布线膜包含：初始层，所述初始层成膜于所述基板上，膜厚为3nm～200nm，并且包含由金属元素构成的金属或合金、或者金属或合金的化合物；和第二层及第二层之后的层，所述第二层及第二层之后的层成膜于所述初始层上，并且包含由金属元素构成的金属或合金、或者金属或合金的化合物，并且所述布线膜在所述初始层与所述第二层之间具有界面。2.如权利要求1所述的布线膜，其特征在于，所述初始层和所述第二层及第二层之后的层的主要成分为同种金属或合金、或者金属或合金的化合物。3.如权利要求1或2所述的布线膜，其特征在于，所述初始层为含氧原子的层。4.如权利要求3所述的布线膜，其特征在于，所述布线膜的层间氧原子含有比率为2以上。5.如权利要求4所述的布线膜，其特征在于，所述布线膜的初始层氧原子含有比率为0.02～1.5。6.如权利要求1～5中任一项所述的布线膜，其中，所述金属元素为选自由Al、Cu、Ti、Mo、C、Si、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Ga、Ge、As、Se、Zr、Nb、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、Ta、W、Ir、Pt、Au、Pb、Ru和Bi构成的组中的至少一种。7.一种布线膜，其为通过真空气氛下的溅射而设置在基板上的包含金属元素的多层结构的布线膜，其中，所述布线膜包含：初始层，所述初始层成膜在所述基板上，并且膜厚为3nm～200nm；和第二层及第二层之后的层，所述第二层及第二层之后的层是在所述初始层的成膜后进行抽真空、然后成膜在所述初始层上的层。8.如权利要求7所述的布线膜，其中，所述初始层的成膜后的抽真空后的压力为1.0×10-3Pa以下。9.如权利要求7或8所述的布线膜，其中，所述布线膜由选自由Al、Cu、Ti、Mo、C、Si、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Ga、Ge、As、Se、Zr、Nb、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、Ta、W、Ir、Pt、Au、Pb、Ru和Bi构成的组中的至少一种金属元素的金属或合金、或者金属或合金的化合物构成。10.如权利要求1～9中任一项所述的布线膜，其中，所述布线膜的通过X射线衍射得到的由特定晶面引起的衍射峰中的、最大的第一衍射峰与第二大的第二衍射峰之比、即第一衍射峰第二衍射峰为5.0以上。11.如权利要求1～9中任一项所述的布线膜，其中，所述布线膜的膜厚为200nm以下，并且所述布线膜的通过X射线衍射得到的由特定晶面引起的衍射峰中的、最大的第一衍射峰与第二大的第二衍射峰之比、即第一衍射峰第二衍射峰为2.3以上。12.如权利要求1～11中任一项所述的布线膜，其中，所述布线膜的通过X射线衍射得到的由特定晶面引起的衍射峰中的、最大的第一衍射峰与第二大的第二衍射峰之比、即第一衍射峰第二衍射峰，比由通过溅射而在所述基板上成膜的相同膜厚并且与所述初始层为相同组成的单层构成的布线膜的所述第一衍射峰第二衍射峰大5％以上。13.如权利要求1～12中任一项所述的布线膜，其中，所述布线膜以Al或Cu作为主要成分。14.如权利要求13所述的布线膜，其中，所述布线膜为以Al作为主要成分的布线膜，并且所述布线膜的通过X射线衍射得到的由Al111晶面引起的衍射峰与由Al200晶面引起的衍射峰之比、即Al111Al200为5.0以上。15.如权利要求13所述的布线膜，其中，所述布线膜为以Al作为主要成分的布线膜，所述布线膜的膜厚为200nm以下，并且所述布线膜的通过X射线衍射得到的由Al111晶面引起的衍射峰与由Al200晶面引起的衍射峰之比、即Al111Al200为2.3以上。16.如权利要求13所述的布线膜，其中，所述布线膜为以Al作为主要成分的布线膜，并且所述布线膜的通过根据下述条件测定的X射线衍射得到的由Al111晶面引起的衍射峰的半峰宽2θ为0.38°以下，装置：日本理学公司制造的UltimaIII光学系统：平行光束光学系统PB[薄膜普通]X射线源：Cu-Kα射线不使用Kβ滤波器管电压：40kV管电流：40mA取样步长：0.02°步扫描速度：1°分钟。17.如权利要求13所述的布线膜，其中，所述布线膜为以Al作为主要成分的布线膜，并且所述布线膜的在由Al111晶面引起的衍射峰的位置处测定摇摆曲线时的峰间距离为15°以下。18.如权利要求13所述的布线膜，其中，所述布线膜为以Al作为主要成分的双层结构的布线膜，并且所述布线膜的通过根据下述条件测定的X射线衍射得到的由Al111晶面引起的衍射峰的强度与双层的膜厚之比为5.0[计数nm]以上，装置：日本理学公司制造的UltimaIII光学系统：平行光束光学系统PB[薄膜普通]X射线源：Cu-Kα射线不使用Kβ滤波器管电压：40kV管电流：40mA取样步长：0.02°步扫描速度：1°分钟。19.如权利要求13所述的布线膜，其中，所述布线膜为以Al作为主要成分的布线膜，并且所述布线膜的通过X射线衍射得到的由Al111晶面引起的衍射峰的半峰宽2θ比由通过溅射而在所述基板上成膜的相同膜厚并且与所述初始层为相同组成的单层构成的布线膜的所述半峰宽2θ小5％以上。20.如权利要求13所述的布线膜，其中，所述布线膜为以Cu作为主要成分的布线膜，并且所述布线膜的通过X射线衍射得到的由Cu111晶面引起的衍射峰与由Cu200晶面引起的衍射峰之比、即Cu111Cu200为5.0以上。21.如权利要求13所述的布线膜，其中，所述布线膜为以Cu作为主要成分的布线膜，并且所述布线膜的通过根据下述条件测定的X射线衍射得到的由Cu111晶面引起的衍射峰的半峰宽2θ为0.38°以下，装置：日本理学公司制造的UltimaIII光学系统：平行光束光学系统PB[薄膜普通]X射线源：Cu-Kα射线不使用Kβ滤波器管电压：40kV管电流：40mA取样步长：0.02°步扫描速度：1°分钟。22.如权利要求13所述的布线膜，其中，所述布线膜为以Cu作为主要成分的布线膜，并且所述布线膜的通过X射线衍射得到的由Cu111晶面引起的衍射峰的半峰宽2θ比由通过溅射而在所述基板上成膜的相同膜厚并且与所述初始层为相同组成的单层构成的布线膜的所述的半峰宽2θ小5％以上。23.如权利要求1～22中任一项所述的布线膜，其中，所述基板为玻璃基板、硅基板、石英基板、树脂基板、陶瓷基板或金属基板。24.一种方法，其为通过真空气氛下的溅射而形成包含金属元素的多层结构的布线膜的方法，其中，所述方法包含以下工序：在所述基板上成膜膜厚为3nm～200nm的初始层、然后进行抽真空的工序；以及在所述初始层上成膜第二层及第二层之后的层的工序。25.如权利要求24所述的方法，其中，所述初始层的成膜后的抽真空后的压力为1.0×10-3Pa以下。26.如权利要求24或25所述的方法，其中，所述布线膜包含选自由Al、Cu、Ti、Mo、C、Si、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Ga、Ge、As、Se、Zr、Nb、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、Ta、W、Ir、Pt、Au、Pb、Ru和Bi构成的组中的至少一种金属元素的金属或合金、或者金属或合金的化合物。27.如权利要求24～26中任一项所述的方法，其中，所述布线膜的通过X射线衍射得到的由特定晶面引起的衍射峰中的、最大的第一衍射峰与第二大的第二衍射峰之比、即第一衍射峰第二衍射峰为5.0以上。28.如权利要求24～26中任一项所述的方法，其中，所述布线膜的膜厚为200nm以下，并且所述布线膜的通过X射线衍射得到的由特定晶面引起的衍射峰中的、最大的第一衍射峰与第二大的第二衍射峰之比、即第一衍射峰第二衍射峰为2.3以上。29.如权利要求24～28中任一项所述的方法，其中，所述布线膜的通过X射线衍射得到的由特定晶面引起的衍射峰中的、最大的第一衍射峰与第二大的第二衍射峰之比、即第一衍射峰第二衍射峰，比由通过溅射而在所述基板上成膜的相同膜厚并且与所述初始层为相同组成的单层构成的布线膜的所述第一衍射峰第二衍射峰大5％以上。30.如权利要求24～29中任一项所述的方法，其中，所述布线膜以Al或Cu作为主要成分。31.如权利要求30所述的方法，其中，所述布线膜为以Al作为主要成分的布线膜，并且所述布线膜的通过X射线衍射得到的由Al111晶面引起的衍射峰与由Al200晶面引起的衍射峰之比、即Al111Al200为5.0以上。32.如权利要求30所述的方法，其中，所述布线膜为以Al作为主要成分的布线膜，所述布线膜的膜厚为200nm以下，并且所述布线膜的通过X射线衍射得到的由Al111晶面引起的衍射峰与由Al200晶面引起的衍射峰之比、即Al111Al200为2.3以上。33.如权利要求30所述的方法，其中，所述布线膜为以Al作为主要成分的布线膜，并且所述布线膜的通过根据下述条件测定的X射线衍射得到的由Al111晶面引起的衍射峰的半峰宽2θ为0.38°以下，装置：日本理学公司制造的UltimaIII光学系统：平行光束光学系统PB[薄膜普通]X射线源：Cu-Kα射线不使用Kβ滤波器管电压：40kV管电流：40mA取样步长：0.02°步扫描速度：1°分钟。34.如权利要求30所述的方法，其中，所述布线膜为以Al作为主要成分的布线膜，并且所述布线膜的在由Al111晶面引起的衍射峰的位置处测定摇摆曲线时的峰间距离为15°以下。35.如权利要求30所述的方法，其中，所述布线膜为以Al作为主要成分的双层结构的布线膜，并且所述布线膜的通过根据下述条件测定的X射线衍射得到的由Al111晶面引起的衍射峰的强度与双层的膜厚之比为5.0[计数nm]以上，装置：日本理学公司制造的UltimaIII光学系统：平行光束光学系统PB[薄膜普通]X射线源：Cu-Kα射线不使用Kβ滤波器管电压：40kV管电流：40mA取样步长：0.02°步扫描速度：1°分钟。36.如权利要求30所述的方法，其中，所述布线膜为以Al作为主要成分的布线膜，并且所述布线膜的通过X射线衍射得到的由Al111晶面引起的衍射峰的半峰宽2θ比由通过溅射而在所述基板上成膜的相同膜厚并且与所述初始层为相同组成的单层构成的布线膜的所述半峰宽2θ小5％以上。37.如权利要求30所述的方法，其中，所述布线膜为以Cu作为主要成分的布线膜，并且所述布线膜的通过X射线衍射得到的由Cu111晶面引起的衍射峰与由Cu200晶面引起的衍射峰之比、即Cu111Cu200为5.0以上。38.如权利要求30所述的方法，其中，所述布线膜为以Cu作为主要成分的布线膜，并且所述布线膜的通过根据下述条件测定的X射线衍射得到的由Cu111晶面引起的衍射峰的半峰宽2θ为0.38°以下，装置：日本理学公司制造的UltimaIII光学系统：平行光束光学系统PB[薄膜普通]X射线源：Cu-Kα射线不使用Kβ滤波器管电压：40kV管电流：40mA取样步长：0.02°步扫描速度：1°分钟。39.如权利要求30所述的方法，其中，所述布线膜为以Cu作为主要成分的布线膜，并且所述布线膜的通过X射线衍射得到的由Cu111晶面引起的衍射峰的半峰宽2θ比由通过溅射而在所述基板上成膜的相同膜厚并且与所述初始层为相同组成的单层构成的布线膜的所述半峰宽2θ小5％以上。40.如权利要求24～39中任一项所述的方法，其中，所述基板为玻璃基板、硅基板、石英基板、树脂基板、陶瓷基板或金属基板。

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