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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其形成方法，首先形成沟槽隔离结构于所述衬底中，由于所述沟槽隔离结构具有相连接的第一隔离部及位于所述第一隔离部下方的第二隔离部，并且所述第二隔离部在垂直于高度方向上的横向宽度尺寸大于所述第一隔离部在垂直于高度方向上的横向宽度尺寸，以使所述第二隔离部相对于所述第一隔离部横向凸出，从而减小了泄漏区域的面积，从而增加了泄漏通路上的等效电阻，从而减小了漏电流，提高了半导体器件的存储性能，进一步，所述源区从所述衬底的顶面延伸至第一深度位置及第二深度位置之间，进一步减小了泄漏区域的面积，达到更好的减小漏电流的作用。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括衬底及形成于所述衬底中的沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构界定出多个有源区于所述衬底中；其中，所述沟槽隔离结构包括第一隔离部和第二隔离部，所述第一隔离部从所述衬底的顶面往所述衬底的内部延伸至第一深度位置，所述第二隔离部从所述第一隔离部的下方延伸至第二深度位置并与所述第一隔离部连接，并且所述第二隔离部在垂直于高度方向上的横向宽度尺寸大于所述第一隔离部在垂直于高度方向上的横向宽度尺寸，以使所述第二隔离部相对于所述第一隔离部以朝向所述有源区的方向横向凸出，所述沟槽隔离结构的所述第二隔离部呈弧形；所述有源区包括源区及漏区，且所述源区从所述衬底的顶面延伸至第一深度位置及第二深度位置之间，以使所述源区更下沉于所述漏区,所述源区从所述衬底的顶面往所述衬底的内部延伸第四深度位置，所述漏区从所述衬底的顶面往所述衬底的内部延伸第五深度位置，所述第四深度位置低于所述第五深度位置；每个所述有源区中形成有两个栅极结构，所述栅极结构位于所述源区和所述漏区之间，所述源区位于所述沟槽隔离结构和所述栅极结构之间，所述漏区位于两个所述栅极结构之间。
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百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体器件及其形成方法
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