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申请/专利权人：浙江工业大学;嘉兴学院
摘要：本发明涉及催化材料领域，具体涉及一种硒空位硒化钼材料，其为表面具有硒空位的硒化钼材料。本发明还涉及所述材料的制备和在HER催化中的应用。本发明所述的硒空位硒化钼材料具有丰富的电催化活性位点和快速电荷转移能力，其在碱性和酸性介质中均表现出较低的过电位和塔菲尔斜率，可以表现出优异的HER催化活性。
主权项：1.一种硒空位硒化钼材料的制备方法，其特征在于，将MoSe2在负压、还原性气氛下进行焙烧，制得所述的硒空位硒化钼材料；焙烧阶段的温度为650~750℃，焙烧阶段的负压的压力为小于或等于250Pa。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江工业大学 嘉兴学院 硒空位硒化钼材料及其制备和在HER催化中的应用
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