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申请/专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
摘要：本发明提供了一种柔性2T0C‑DRAM及其制备方法，通过紫外光刻和物理气相沉积在柔性衬底上生长第一金属层，作为存储器的单个晶体管的栅极；通过原子层沉积法在第一金属层上沉积介质层；通过干法刻蚀形成连接通孔；通过紫外光刻和物理气相沉积生长第二金属层，作为存储器的单个晶体管的源漏电极；将有机材料通过真空热蒸发沉积在第二金属层上，形成柔性可弯折的晶体管沟道，得到柔性2T0C‑DRAM，降低了生产成本，而且通过有机蒸镀沉积有机材料实现柔性可弯折存储单元晶体管沟道，使得制备得到的2T0C‑DRAM在具有优异的存储性能同时具备出色的柔性和可弯折性，满足可穿戴设备的存储需求。
主权项：1.一种柔性2T0C-DRAM的制备方法，其特征在于，包括：提供柔性衬底；通过紫外光刻和物理气相沉积在所述衬底上生长第一金属层，作为存储器的单个晶体管的栅极；通过原子层沉积法在所述第一金属层上沉积介质层；通过干法刻蚀形成连接通孔；通过紫外光刻和物理气相沉积生长第二金属层，作为存储器的单个晶体管的源漏电极；将有机材料通过真空热蒸发沉积在所述第二金属层上，形成柔性可弯折的晶体管沟道，得到柔性2T0C-DRAM。
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权利要求：
百度查询： 复旦大学 上海集成电路制造创新中心有限公司 一种柔性2T0C-DRAM及其制备方法
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