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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明涉及一种全GaN集成的带隙基准源电路，包括：多个增强型GaNHEMT晶体管、多个横向温度传感器二极管、多个片上电阻和外延片；所述多个增强型GaNHEMT晶体管、所述多个横向温度传感器二极管和所述多个片上电阻均集成在所述外延片上；其中，所述外延片包括自下而上依次堆叠设置的衬底、成核层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层、P‑GaN层和钝化层。本发明采用全GaN器件，减小了芯片寄生效应，降低了成本，提升了整体性能，通过片上电阻和横向温度传感器二极管，本基准源电路可以准确输出与温度无关的基准电压，输出电阻比值可以调整，输出稳定。
主权项：1.一种全GaN集成的带隙基准源电路，其特征在于，包括：多个增强型GaNHEMT晶体管1、多个横向温度传感器二极管2、多个片上电阻3和外延片；所述多个增强型GaNHEMT晶体管1、所述多个横向温度传感器二极管2和所述多个片上电阻3均集成在所述外延片上；其中，所述外延片包括自下而上依次堆叠设置的衬底5、成核层6、缓冲层7、沟道层8、插入层9、势垒层10、P-GaN层11和钝化层12。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 一种全GaN集成的带隙基准源电路及制作工艺
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