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申请/专利权人：美光科技公司
摘要：本申请涉及漏极镇流静电放电保护电路。一种设备包含：第一电压域，其包含经配置以在第一供应电压下操作的第一电路；第二电压域，其包含经配置以在第二供应电压下操作的第二电路；及漏极镇流静电放电ESD保护电路，其经配置以电耦合所述第一电压域及所述第二电压域，所述漏极镇流ESD保护电路包含：第一NMOS晶体管；第二NMOS晶体管；浮动互连件，其将所述第一NMOS晶体管电耦合到所述第二NMOS晶体管；及接地电阻器，其耦合到所述第一NMOS晶体管及所述第二NMOS晶体管。
主权项：1.一种具有漏极镇流静电放电保护电路的设备，其包括：第一电压域252，其包含经配置以在第一供应电压下操作的第一电路；第二电压域254，其包含经配置以在第二供应电压下操作的第二电路；及漏极镇流静电放电ESD保护电路255；355，其经配置以电耦合所述第一电压域及所述第二电压域，所述漏极镇流ESD保护电路包括：第一NMOS晶体管370-1；第二NMOS晶体管370-2；浮动互连件364，其将所述第一NMOS晶体管电耦合到所述第二NMOS晶体管；及接地电阻器374，其耦合到所述第一NMOS晶体管及所述第二NMOS晶体管。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美光科技公司 漏极镇流静电放电保护电路
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