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申请/专利权人：电子科技大学
摘要：本发明实施例提供了一种无电感的低温低噪声放大器电路、芯片及射频前端电路，该无电感的低温低噪声放大器电路由于采用无电感设计，能够直接提升芯片级LNA的集成度、Q值和噪声系数等性能指标；同时，一方面引入采用负反馈结构实现输入输出阻抗的最佳匹配，抑制寄生电容的影响，另一方面在多级放大单元的级间无电容，并结合恒流源进行直流耦合，可保证低频信号输入时的相位裕度足够大，进而实现电路整体的稳定。
主权项：1.一种无电感的低温低噪声放大器电路，包括信号输入端，信号输出端，以及设置在信号输入端与信号输出端之间级联的多级放大单元，其中，信号输入端输入的信号耦合至初级放大单元的输入端，末级放大单元的输出信号耦合至信号输出端；其特征在于，末级放大单元，被配置为将其输出信号耦合至初级放大单元的输入端，以形成负反馈；每个前级放大单元，被配置为将其输出信号与一个恒流源输出的恒定电流共同耦合至其后一级放大单元的输入端，以向后一级放大单元提供偏置电压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 无电感的低温低噪声放大器电路、芯片及射频前端电路
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