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申请/专利权人：成都思科瑞微电子股份有限公司

摘要：本发明公开了一种IC芯片的冷热冲击测试方法，其特征在于，包括以下步骤：冷热间隔式冲击测试，用于对IC芯片分别在低温和高温环境中的通电运行性能是否稳定的测试；冷热急速式冲击测试，用于对IC芯片在环境温度出现冷热瞬变时，通电运行性能是否稳定的测试。本发明采用冷热间隔式冲击测试和冷热急速式冲击测试相结合的方式，对IC芯片进行冷热冲击测试，不仅可很好的检测出IC芯片在低温和高温环境中的加电运行效果、可靠性进行测试，还能通过对IC芯片从一个温度切换到另一个温度时的切换点的控制，实现对IC芯片在环境温度突变时，抗冷热温差冲击的性能进行有效的测试。

主权项：1.一种IC芯片的冷热冲击测试方法，其特征在于，包括：冷热间隔式冲击测试，用于对IC芯片分别在低温和高温环境中的通电运行性能是否稳定的测试；冷热急速式冲击测试，用于对IC芯片在环境温度出现冷热瞬变时，通电运行性能是否稳定的测试；其中，冷热间隔式冲击测试方法包括以下步骤：步骤S1：在常温环境下，对待测IC芯片进行加电运行初试检测，并记录其检测数据；步骤S2：完成加电运行初试检测的IC芯片冷却至常温后，将IC芯片放入恒定温度为0℃的测试箱内，加电运行测试，查看测试数据是否与步骤S1中的检测数据相同，是，将IC芯片恢复至常温后，进入步骤S3；否，判定该IC芯片冷热冲击测试不合格，停止测试；步骤S3：将步骤S2中恢复至常温的IC芯片，转移至恒定温度为-18℃的测试箱内，在测试箱内静置12~16h后，加电运行测试，查看测试数据是否与步骤S1中的检测数据相同，是，将IC芯片恢复至常温后，进入步骤S4；否，判定该IC芯片冷热冲击测试不合格，停止测试；步骤S4：将步骤S3中恢复至常温的IC芯片，转移至恒定温度为65℃的测试箱内，加电运行测试，查看测试数据是否与步骤S1中的检测数据相同，是，将IC芯片恢复至常温后，进入步骤S5；否，判定该IC芯片冷热冲击测试不合格，停止测试；步骤S5：将步骤S4中恢复至常温的IC芯片，再次进行常温加电运行测试，查看测试数据是否与步骤S1中的检测数据相同，是，进入冷热急速式冲击测试；否，IC芯片冷热冲击测试结束，该IC芯片最后被判定为不合格；所述冷热急速式冲击测试的方法包括以下步骤：①将冷热间隔式冲击测试后的IC芯片，转移至恒定温度为75℃的高温测试箱内，使IC芯片的温度升至75℃；②在4~6min内将升至75℃的IC芯片，转移至恒定温度为-55℃的低温测试箱内，使IC芯片的温度降至-55℃；③在4~6min内将降至-55℃的IC芯片，再次转移至恒定温度为75℃的高温测试箱内，使IC芯片的温度升至75℃后，对IC芯片进行加电运行测试；④将IC芯片冷却至常温后，对IC芯片进行加电运行测试，查看测试数据是否与步骤S1中的检测数据相同，是，判定该IC芯片冷热冲击测试合格，测试结束；否，判定该IC芯片冷热冲击测试不合格，测试结束。

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