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申请/专利权人:中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
摘要:一种触发型火工点火混合集成电路封装结构,属于微电子器件封装技术领域。陶瓷底座本体采用多层陶瓷件与边框烧焊结在一起,陶瓷底座本体底面设置多个电极引脚金属层,电极层表面采用多层复合金属层,表层采用整体镀金结构解决热传导、稳态大电流传导及金铝键合问题。陶瓷底座本体内腔的键合区采用T型台阶式结构,以缩短芯片到键合区的键合距离。芯片集成区域划分为信号控制区与功率开关工作区,控制区和功率工作区走线物理隔离。功率区采用贯穿凹坑设计,热沉与底面的金属电极密封焊接。解决了现有封装结构散热不良、不可多次触发、功率密度低、集成度低、气密性差、可靠性差等问题。广泛应用于各类航天、航空、汽车电子领域。
主权项:1.一种触发型火工点火混合集成电路封装结构,其特征在于:包括陶瓷底座本体,封口环,盖板,腔体,通体凹坑,内腔底表面,内表面金属层,电极金属层薄金区,热沉,外电极功率电极金属层,金属柱,外电极控制电极金属层;所述陶瓷底座本体采用多层陶瓷件与边框烧焊在一起,陶瓷底座本体底面设置有外电极金属层,包括外电极功率电极金属层、外电极控制电极金属层;所述陶瓷底座本体、封口环与盖板围合成腔体;所述内腔底表面上为内表面金属层、电极金属层薄金区,内表面金属层位于陶瓷底座本体的右侧区域,热沉位于陶瓷底座本体的左侧区域,电极金属层薄金区位于热沉的前后两侧;所述热沉组装于通体凹坑中,热沉上端低于内腔底表面功率芯片厚度距离,热沉下端与陶瓷底座本体的底表面平齐,与外电极功率电极金属层连接;所述金属柱大电流控制芯片的正下方,贯穿陶瓷底座本体,上端低与内腔底表面平齐,与内表面金属层连接,形成T型台阶式结构,下端与陶瓷底座本体的底表面平齐,与外电极功率电极金属层连接;其余金属层和内电极均通过金属通孔与外电极相连;功率芯片直接烧结在热沉区域上。
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