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申请/专利权人：中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)

摘要：一种高功率密度混合集成隔离开关模块封装结构，属于电子封装技术领域。包括陶瓷外壳，输入输出隔离控制区和尖峰浪涌电路保护区，两个区域之间互相隔离，以提高模块产品隔离度；尖峰浪涌保护电路区中通过有多个金属热沉和内腔电极实现封装的热匹配设计。采用异构整合封装技术，通过空间异构层错的设计，从封装尺寸、集成功率密度高、寄生分布参数、转换效率、结构可靠性、抗冲击性等方面，对封装结构进行设计。将吸能保护芯片直接焊接在热沉上面，增加吸能保护芯片的热容，同时降低因复杂封装带来的寄生参数影响、集成体积庞大的问题。广泛应用于异质电子元器件的微型化、片式化、高集成度、高可靠性一体化集成技术领域中。

主权项：1.一种高功率密度混合集成隔离开关模块封装结构，其特征在于：包括陶瓷外壳底座，环形边框，封口环，保护电路芯片组装空间异构层错区，隔离电路隔离器组装空间异构层错区，热沉，外电极金属层，外电极金属片，腔体底表面芯片组装区或键合区金属层，恒流电路芯片组装空间异构层错区，隔离器引脚焊接区，盖板；所述陶瓷外壳底座顶面具有用于组装电子元器件的平底内腔及内腔周边的环形边框，平底内腔及内腔周边的环形边框共同围合成陶瓷外壳底座内腔；在陶瓷外壳底座内腔的芯片组装区域，设置输入输出隔离控制区和尖峰浪涌电路保护区，两个区域之间为物理隔离；在输入输出隔离控制区设置有低于底表面的一个以上空间异构层错区，在空间异构层错区的平底凹坑底表面设置有金属层，在金属层上面焊接有恒流电路芯片；在输入输出隔离控制区设置有低于底表面的一个以上恒流电路芯片组装空间异构层错区、一个以上隔离电路隔离器组装空间异构层错区，在恒流电路芯片组装空间异构层错区的平底凹坑底表面设置有金属层，在金属层上面焊接有恒流电路芯片，在隔离电路隔离器组装空间异构层错区安装有隔离器；所述保护电路芯片组装空间异构层错区包括抗浪涌电路芯片组装空间异构层错区、抗尖峰电路芯片组装空间异构层错区；在尖峰浪涌电路保护区设置有低于底表面的一个以上抗浪涌电路芯片组装空间异构层错区、一个以上抗尖峰电路芯片组装空间异构层错区，在抗浪涌电路芯片组装空间异构层错区、抗尖峰电路芯片组装空间异构层错区的平底凹坑底表面设置有金属层，在金属层上面焊接有热沉，在热沉上按电路设计要求焊接有抗浪涌电路芯片或抗尖峰电路芯片；在陶瓷外壳底座内腔的非间异构层错区的底表面，根据电路具体结构设置有一个以上腔体底表面芯片组装区或键合区金属层，在腔体底表面芯片组装区上组装有开关芯片及其他电子元器件；在陶瓷外壳底座的背面，根据电路具体结构设置有一个以上外电极金属层，在外电极金属层上焊接有外电极金属片，外电极金属片的内端与外电极金属层平齐，外电极金属片的外端略微超出陶瓷外壳底座的底侧面；根据电路具体结构，芯片与键合区之间、键合区与键合区之间通过键合丝进行键合连接，隔离器与焊接点之间通过焊接材料进行连接；在陶瓷外壳底座的环形边框上固接有封口环，在封口环上焊接有盖板。

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