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申请/专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要：本发明公开了一种平面型光导开关及其制作方法，在平面型光导开关的内部引入电阻相对较低的导电区或导电层，将电流由表面输运转变为体内输运，可有效缓解电极边缘处的电流集中现象，从而显著降低了表面闪络放电现象的发生，提高了平面型光导开关的耐压性能和使用寿命。此外，导通态下，引入导电区或导电层的平面型光导开关的光电流明显大于未引入导电区或导电层的平面型光导开关，表明导电区或导电层的引入降低了导通电阻。
主权项：1.一种平面型光导开关，其特征在于，包括：具有第一掺杂源的衬底，所述衬底具有第一表面，所述衬底内形成有非掺杂或具有第二掺杂源的导电区，所述导电区的电阻小于所述衬底的电阻；具有第三掺杂源的外延层，形成于所述第一表面上且覆盖所述导电区，所述外延层的电阻大于所述导电区的电阻；第一电极，形成于所述外延层上；第二电极，形成于所述外延层上且与所述第一电极间隔设置；其中，在所述衬底的厚度方向上，所述导电区的投影与所述第一电极的投影和所述第二电极的投影均部分重叠。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 平面型光导开关及其制作方法
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