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申请/专利权人：通富微电子股份有限公司
摘要：本申请公开了一种扇出型封装方法，该方法包括：在载板的第一表面设置第一芯片、多个阻挡件和多个导电柱；其中，所述阻挡件具有导电性能，且所述阻挡件和所述导电柱借助层叠设置的正性光刻胶和负性光刻胶同时形成；所述多个阻挡件围设在所述第一芯片的侧面外围，所述多个导电柱围设在所述多个阻挡件的侧面外围，且所述导电柱的高度大于所述阻挡件的高度；在所述第一芯片的非功能面一侧设置第一散热片。通过上述方式，本申请能够降低芯片翘曲的概率并提高扇出型器件的散热性能。
主权项：1.一种扇出型封装方法，其特征在于，包括：在载板的第一表面设置第一芯片、多个阻挡件和多个导电柱；其中，所述阻挡件具有导电性能，且所述阻挡件和所述导电柱借助层叠设置的正性光刻胶和负性光刻胶同时形成；所述多个阻挡件围设在所述第一芯片的侧面外围，所述多个导电柱围设在所述多个阻挡件的侧面外围，且所述导电柱的高度大于所述阻挡件的高度，所述第一芯片的侧面外围以及所述阻挡件的侧面外围形成有绝缘层，所述阻挡件和所述第一芯片通过所述绝缘层形成整体结构；在所述第一芯片的非功能面一侧设置第一散热片；其中，所述阻挡件和所述导电柱借助层叠设置的正性光刻胶和负性光刻胶同时形成的步骤，包括：在载板的第一表面先后形成第一光刻胶层和第二光刻胶层；其中，所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层中的一个为正性光刻胶，另一个为负性光刻胶；且所述第二光刻胶层覆盖所述第一光刻胶层的侧面以及所述第一光刻胶层背离所述载板一侧表面；对所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层同时进行曝光显影，所述第一光刻胶层上形成多个第一过孔、且位于所述第一光刻胶层侧面外围的所述第二光刻胶层上形成多个第二过孔；其中，所述第二过孔的高度大于所述第一过孔的高度；在所述第一过孔内形成所述阻挡件、以及同时在所述第二过孔内形成所述导电柱；去除所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 通富微电子股份有限公司 扇出型封装方法
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