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申请/专利权人：清华大学
摘要：本发明涉及一种使用离子液体作为连接层实现钙钛矿单晶与CMOS芯片集成的方法。该方法以离子液体作为连接层，与钙钛矿单晶形成新的界面层，即通过化学焊接技术实现了大面积卤化物钙钛矿单晶与CMOS基底的强粘合，提高了X射线探测器的灵敏度和稳定性，为基于CMOS的高性能X射线探测器的集成制造提供了一种有效的解决方案。
主权项：1.一种使用离子液体作为连接层实现钙钛矿单晶与CMOS集成的方法，其包含以下步骤：1将离子液体粉末放置于CMOS基底上，离子液体通过吸湿作用转变为液态；2将钙钛矿单晶置于液态离子液体上并静置；3离子液体与钙钛矿单晶表面反应，形成新的界面层，实现钙钛矿单晶与CMOS的集成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 清华大学 一种离子液体作为连接层实现钙钛矿单晶与CMOS集成的方法
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