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申请/专利权人：嘉庚创新实验室
摘要：本发明公开了一种改性钙钛矿薄膜、钙钛矿复合膜、其制备方法及太阳能电池。本发明在钙钛矿中引入了式I化合物，利用其结构上的肼基选择性地还原I0，减少离子迁移的可能性，进而防止因离子迁移而引发的性能衰减。同时，其会参与钙钛矿的成核与结晶调控，含有的具有孤对电子的O原子能够与Pb原子进行配位，从而在一定程度上延缓钙钛矿材料的结晶过程，有助于获得高质量的钙钛矿薄膜。本发明还通过取代基的设计进一步调控薄膜的费米能级，减少在异质界面上的电荷累积，进一步提高器件的效率和工况稳定性，在提高器件光电性能和稳定性方面展现出了巨大的潜力。
主权项：1.一种改性钙钛矿薄膜，其包括钙钛矿材料和式I化合物： 其中，式I化合物中，R选自-H、-OCH3、-CH3、-F、-Cl、-COOH、-CF3、-SO2CF3。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 嘉庚创新实验室 改性钙钛矿薄膜、钙钛矿复合膜、其制备方法及钙钛矿太阳能电池
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