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申请/专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
摘要：本发明提供了一种反铁电人工神经元器件及其制备方法，包括：提供衬底；在衬底上形成第一金属层，作为第一电极；在第一金属层上形成铪锆氧化物薄膜；在铪锆氧化物薄膜上形成第二金属层；通过快速热处理使铪锆氧化物薄膜结晶并产生反铁电性；去除第二金属层；在铪锆氧化物薄膜上形成第三金属层，作为第二电极。本发明的有益效果在于：可实现神经元积累泄露功能，避免额外的硬件和操作成本，进而实现了包括积累、激发和自恢复的基本神经元特性，能够模拟生物神经元特性。
主权项：1.一种反铁电人工神经元器件的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；在衬底上形成第一金属层，作为第一电极；在第一金属层上形成铪锆氧化物薄膜；在铪锆氧化物薄膜上形成第二金属层；通过快速热处理使铪锆氧化物薄膜结晶并产生反铁电性；去除第二金属层；在铪锆氧化物薄膜上形成第三金属层，作为第二电极。
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百度查询： 复旦大学 上海集成电路制造创新中心有限公司 一种反铁电人工神经元器件及其制备方法
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