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申请/专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
摘要：本发明提供了一种硅片表面金属收集方法及检测方法，属于半导体制造技术领域。硅片表面金属收集方法包括：利用质量百分浓度低于预设阈值的刻蚀溶液覆盖待处理的硅片，去除所述硅片表面的氧化膜；控制扫描溶液在所述硅片表面按照目标路径运行，完成对所述硅片表面的金属收集；其中，所述扫描溶液为HF酸液与其它酸液的混合酸液，所述其它酸液为HNO3酸液、HCl酸液和H2O2酸液中的至少一种。本发明的技术方案能够实现对硅片表面金属的检测。
主权项：1.一种硅片表面金属收集方法，其特征在于，包括：利用质量百分浓度低于预设阈值的刻蚀溶液覆盖待处理的硅片，去除所述硅片表面的氧化膜；控制扫描溶液在所述硅片表面按照目标路径运行，完成对所述硅片表面的金属收集；其中，所述扫描溶液为HF酸液与其它酸液的混合酸液，所述其它酸液为HNO3酸液、HCl酸液和H2O2酸液中的至少一种。
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百度查询： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 硅片表面金属收集方法及检测方法
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