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申请/专利权人：复旦大学;嘉善复旦研究院
摘要：本发明公开了一种基于ALD技术的3D堆叠外置环栅结构2T0CDRAM的制造方法，涉及计算机制造领域。基于ALD技术生长沟道材料，制作具有环栅薄膜晶体管结构的2T0CDRAM，通过优化读写晶体管几何位置和基本结构，基于外置栅极设计将2T0CDRAM中搭建读写晶体管的三维堆叠，有效提高集成度和DRAM各方面性能，为实现DRAM多层堆叠提供解决方案。本发明提高了写晶体管开关性能，具有较低漏电、较高存储窗口和较高保持时间；减少器件面积，降低小尺寸套刻精度要求；可以实现更灵活的电极布局和读写操作，有利于2T0CDRAM和其他器件的互联集成。
主权项：1.一种基于ALD技术的3D堆叠外置环栅结构2T0CDRAM的制造方法，其特征在于，采用环栅结构和工艺。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 复旦大学 嘉善复旦研究院 一种基于ALD技术的3D堆叠外置环栅结构2T0C DRAM的制造方法
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