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申请/专利权人：无锡舜铭存储科技有限公司
摘要：本发明公开一种3D铁电存储器结构的制造方法，包括：提供半导体衬底；形成第一互连结构，包括电容器导电柱、位线导电柱以及导电柱之间的第一介质层；在第一介质层表面依次形成刻蚀停止层、第二介质层、第三介质层和硬掩模层，其中第二介质层的刻蚀速率低于所述第三介质层；在第二介质层、第三介质层中形成深孔，该深孔位于第三介质层的部分呈圆柱形，位于第二介质层的部分为倒锥形，且底部面积不大于电容器导电柱的顶部面积；在深孔中依次形成第一电极层、高K铁电氧化物层及第二电极层，形成深孔电容；形成金属互连及板线、位线。采用具有不同刻蚀速率的介质层，形成特定形成的深孔，保证电容电极与电容导电柱充分接触。
主权项：1.一种3D铁电存储器结构的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括铁电存储单元区，所述铁电存储单元区具有源区、漏区、栅极区、隔离区以及各个功能区上方的电极及互连金属线；形成第一互连结构，所述第一互连结构包括电容器导电柱、位线导电柱以及导电柱之间的第一介质层；在所述第一介质层表面，依次形成刻蚀停止层、第二介质层、第三介质层和硬掩模层，其中所述第二介质层的刻蚀速率低于所述第三介质层；通过光刻和刻蚀工艺使硬掩模层图案化，并以图案化后的硬掩模层作为掩模进行刻蚀，在第二介质层、第三介质层中形成深孔，然后去除硬掩模层，其中所述深孔位于第三介质层的部分呈圆柱形，位于第二介质层的部分为倒锥形，所述深孔的底部面积不大于所述电容器导电柱的顶部面积；在所述深孔中依次形成第一电极层、高K铁电氧化物层及第二电极层，形成深孔电容；以及形成金属互连及板线、位线。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡舜铭存储科技有限公司 一种3D铁电存储器结构及其制造方法
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