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一种基于优化拓扑排列多重改性SiOX基负极材料的制备方法 

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申请/专利权人:青海理工大学(筹)

摘要:本发明公开了一种基于优化拓扑排列多重改性SiOx基负极材料的制备方法,采用对纳米微纳米SiOx颗粒的Si‑SiO2拓扑网络结构通过活性锂化物反应进行拓扑排列优化,获得一次改性的Si‑Li4SiO4Li2SiO3Li2Si2O5拓扑网络结构,并通过高温气相沉积实现Si‑Li4SiO4Li2SiO3Li2Si2O5复合颗粒表面碳沉积包覆,通过去离子水洗涤去除易溶于水Li2SiO3Li4SiO4,最终获得Si‑Li2Si2O5@C复合材料。本发明获得的复合材料浆料稳定性好,未出现凝胶或沉降现象且具有高首次库伦效率,长的循环稳定性,且可规模化制备,满足对锂离子电池中高性能负极的应用需求。

主权项:1.一种基于优化拓扑排列多重改性SiOx基负极材料的制备方法,其特征在于包括如下步骤:(1)将活性锂化物、SiOx粉使用高能球磨在惰性气体环境中预混合,其中混合比例为LiSi摩尔比为0.2-0.9:1;(2)将步骤(1)所得混合物料在回转炉中惰性气体环境下加热使物料反应形成拓扑排列结构,其中惰性气体的纯度≥99.999%,其中惰性气体的流量为2-6Lmin,加热温度为550-950℃,加热时间为0.5-2h;(3)将步骤(2)所得物料在回转炉中继续升温,并通入碳氢气体,其中惰性气体:碳氢气体流量比为1:0.5-4,沉积温度为950℃-1100℃,沉积时间为1-4h;(4)将步骤(3)所得物料进行去离子水洗涤直至溶液呈中性,去除拓扑排列结构中生成的部分Li2SiO3和Li4SiO4,干燥后获得到具有拓扑结构的Si-Li2Si2O5@C复合材料。

全文数据:

权利要求:

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