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申请/专利权人:南京大学
摘要:一种用于高温超导滤波器应用的Cu,CBa2Can‑1CunO2n+3超导薄膜的制备方法.按化学比例称取一定质量的钡,钙和铜的氧化物或碳酸盐经过多次研磨压片和烧结后得到靶材;得到的块体置于研钵中捣碎并研磨成均匀粉末;将粉末置于模具中压成片;然后用密封袋真空封装后,放入液压机中进一步压制;压制好后置于加热炉中进行热处理得到PLD靶材;将制备得到靶材进行抛光,装在PLD镀膜腔体中;选取晶格常数相匹配的单晶基片;将其固定于基台的合适位置上,然后装在PLD镀膜腔体中,通过激光脉冲沉积技术制备出Cu,CBa2Can‑1CunO2n+3薄膜;在合适的激光能量,气压和基片温度下,得到高临界温度和低表面微波阻抗的超导薄膜。
主权项:1.一种用于高温超导滤波器应用的Cu,CBa2Can-1CunO2n+3n=3,4超导薄膜制备方法,其特征在于:1按照化学比例称取一定质量的钡,钙和铜的氧化物或碳酸盐混合后研磨成均匀粉末;然后放在加热炉中进行热处理;将制备得到的产物多次研磨成均匀粉末,并压成片,放在加热炉中进行热处理;2将在所述步骤1中得到的块体置于研钵中捣碎并研磨成均匀粉末;将粉末置于模具中压成片;然后用密封袋真空封装后,放入液压机中进一步压制;压制好后置于加热炉中进行热处理得到PLD靶材;将制备得到靶材进行抛光,装在PLD镀膜腔体中;3选取与Cu,CBa2Can-1CunO2n+3n=3,4晶格常数相匹配的单晶基片;将其固定于基台的合适位置上,然后装在PLD镀膜腔体中,维持腔体真空度进行加热;步骤3中,使用的单晶基片为LaAlO3,SrTiO3,YAlO3,MgO,LaMnO3,YSZ,NdCaAlO4,LaSrAlO4,LSAT,CeO2,NdGaO3等;4温度升到指定温度后,在PLD镀膜腔体中以一定流速分别通入高纯氧气和二氧化碳,维持镀膜腔体内气压恒定;5调节靶材与衬底之间的距离,使得羽辉末端与衬底之间的距离合适;待温度稳定后,进行薄膜的沉积生长;6沉积结束后,在PLD镀膜腔体中维持气压,或通入氧气或氮气,进行原位退火处理;或直接降至室温,将样品放在通气加热炉中进行异位退火处理;按照配比称取一定质量的钡,钙和铜的氧化物或碳酸盐混合后充分研磨,最好是研磨两个小时以上得到均匀粉末;优选原料为BaCO3,CaCO3和CuO;对于Cu,CBa2Ca3Cu4O11制备所使用的靶材,其中Cu的配比为4.2-4.8;对于Cu,CBa2Ca2Cu3O9制备所使用的靶材,其中Cu的配比为3.2-3.8;使用制备Cu,CBa2Ca3Cu4O11薄膜所用的靶材,调节薄膜生长时的条件,亦制备出Cu,CBa2Ca2Cu3O9;薄膜生长条件指激光能量,频率,气压,衬底、温度。
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百度查询: 南京大学 一种用于高温超导滤波器应用的(Cu,C)Ba2Can-1CunO2n+3超导薄膜制备方法
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