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一种IGBT栅极自适应驱动系统 

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申请/专利权人:赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司

摘要:一种IGBT栅极自适应驱动系统,其包括PWM信号发生装置,模拟电压转换单元,IGBT栅极检测单元,IGBT集电极检测单元,比较单元,以及逻辑处理单元。所述PWM信号发生装置用于根据多个所述参考导通电压值输出不同占空比的PWM控制信号。所述模拟电压转换单元用于将相应的所述PWM控制信号转换为模拟电压值。所述IGBT集电极检测单元用于检测所述IGBT栅极处于关断过程中的导通电压值。所述比较单元用于分别比较所述模拟电压值与相应的导通电压值。所述逻辑处理单元用于控制所述IGTB的开通过程与导通过程。本IGBT栅极自适应驱动系统可以自动根据每个IGBT开关过程中,实际的电气参数栅极、集电极,生成不同的栅极电阻输出指令信号,从而达到每个IGBT最优的开关过程控制。

主权项:1.一种IGBT栅极自适应驱动系统,所述IGBT具有多个参考导通电压值,其特征在于:所述IGBT栅极自适应驱动系统包括一个PWM信号发生装置,多个与所述PWM信号发生装置电性连接的模拟电压转换单元,多个与所述IGBT的栅极连接的IGBT栅极检测单元和一个IGBT集电极检测单元,多个与所述模拟电压转换单元及IGBT栅极检测单元电性及IGBT集电极检测单元电性连接的比较单元,以及一个与所述比较单元电性连接的逻辑处理单元,所述PWM信号发生装置用于根据多个所述参考导通电压值输出不同占空比的PWM控制信号,所述模拟电压转换单元用于将相应的所述PWM控制信号转换为模拟电压值,所述IGBT栅极检测单元用于检测所述IGBT栅极处于不同开通过程或关断过程中的导通电压值,所述IGBT集电极检测单元用于检测所述IGBT栅极处于关断过程中的导通电压值,所述比较单元用于分别比较所述模拟电压值与相应的导通电压值,所述逻辑处理单元根据所述比较单元所输出的比较值输出二进制的多个开关数字信号串以控制所述IGBT的开通过程与导通过程。

全文数据:

权利要求:

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