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申请/专利权人：福州大学
摘要：本发明公开了一种金属离子掺杂提升硫铟铜氧化钛异质结纳米棒阵列复合材料光电化学性能的方法。该方法首先在预处理后的FTO导电玻璃上通过水热法生长氧化钛纳米棒阵列，然后通过溶剂热法在氧化钛表面外延生长金属离子掺杂的硫铟铜纳米颗粒，形成金属离子掺杂硫铟铜氧化钛异质结纳米棒阵列复合材料。通过调控掺杂金属离子的种类与浓度，提升硫铟铜氧化钛异质结纳米棒阵列复合材料光电化学性能。本发明方法简单易行，环境友好，金属离子的掺杂进一步增强了硫铟铜氧化钛异质结复合材料的光吸收效率，增加活性位点，结合异质结构促进电荷分离的协同效应，进而在硫铟铜氧化钛异质结的基础上，进一步提升了复合材料的光电化学性能。
主权项：1.一种金属离子掺杂提升硫铟铜氧化钛异质结纳米棒阵列复合材料光电化学性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）氧化钛纳米棒阵列的制备：将钛酸四丁酯溶于盐酸和去离子水的混合溶液中搅拌均匀，将混合溶液转移至聚四氟乙烯反应釜中，并将预处理的导电玻璃FTO基片浸入，进行水热反应，反应结束后水冷至室温，取出FTO基片，清洗干燥，得到生长在FTO基片上的氧化钛纳米棒阵列材料；（2）金属离子掺杂硫铟铜氧化钛异质结纳米棒阵列复合材料的制备：将一定量铟源、铜源和硫代乙酰胺分散于甘油和N,N-二甲基甲酰胺的混合有机溶剂中，加入金属硝酸盐溶液搅拌均匀后，然后转移至水热釜，将步骤（1）得到的样品浸入，进行溶剂热反应，反应结束后水冷至室温，取出样品，清洗干燥；步骤（2）中所述铟源为硝酸铟，铜源为氯化铜；所述铟源、铜源和硫代乙酰胺的摩尔比为1:1:2；步骤（2）中所述溶剂热反应温度为160~200℃，反应时间为8~12h；步骤（2）中金属硝酸盐为硝酸锌、硝酸镉或硝酸镍；金属离子与铜源的摩尔百分比为3%。
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权利要求：
百度查询： 福州大学 一种金属离子掺杂提升硫铟铜/氧化钛异质结纳米棒阵列复合材料光电化学性能的方法
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