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申请/专利权人：中山智隆新材料科技有限公司
摘要：本发明属于光伏电池用靶材技术领域，具体公开了一种高迁移率的氧化铟基靶材及其制备方法和应用。本发明的氧化铟基靶材制备原料包括氧化铟、X氧化物、Y氧化物和Z氧化物；其中，X氧化物包括Y2O3、Dy2O3和Gd2O3中的至少一种；Y氧化物包括B2O3和Bi2O3中的至少一种；Z氧化物包括Ta2O5、MoO3和WO3中的至少一种。该氧化铟基靶材最高烧结温度较低，致密度较高，本发明实现了在较低的掺杂量和烧结温度下，获得高致密且晶粒尺寸较低的氧化铟基靶材。使用该氧化铟基靶材镀膜得到TCO薄膜，具有高透光率和高载流子迁移率，可用于HJT电池，提高光电转化效率。
主权项：1.一种氧化铟基靶材，其特征在于，制备原料包括氧化铟、X氧化物、Y氧化物和Z氧化物；其中，X氧化物包括Y2O3、Dy2O3和Gd2O3中的至少一种；Y氧化物包括B2O3和Bi2O3中的至少一种；Z氧化物包括Ta2O5、MoO3和WO3中的至少一种。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中山智隆新材料科技有限公司 一种高迁移率的氧化铟基靶材及其制备方法和应用
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