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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
摘要：本发明提供控制方法和等离子体处理装置。一种具有载置被处理体的第一电极的等离子体处理装置的控制方法，其包括：对上述第一电极供给偏置功率的步骤；和将具有比上述偏置功率高的频率的生成源功率供给到等离子体处理空间的步骤，上述生成源功率具有第一状态和第二状态，上述控制方法包括第一控制步骤，该第一控制步骤与基准电气状态的一周期内的相位同步地交替施加上述第一状态和上述第二状态，其中上述基准电气状态表示由上述偏置功率的供电系统测量出的电压、电流或电磁场的任一者。
主权项：1.一种具有载置被处理体的第一电极的等离子体处理装置的控制方法，其特征在于，包括：将偏置功率供给到所述第一电极的步骤；和将具有比所述偏置功率高的频率的生成源功率供给到等离子体处理空间的步骤，所述生成源功率具有第一状态和第二状态，所述控制方法包括第一控制步骤，该第一控制步骤与基准电气状态的一周期内的相位同步地交替施加所述第一状态和所述第二状态，其中所述基准电气状态表示与所述偏置功率的高频的周期同步的信号、或者由所述偏置功率的供电系统测量出的电压、电流或者电磁场的任一者，所述第一状态具有2个以上的状态。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 控制方法和等离子体处理装置
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