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申请/专利权人：帝尔激光科技(无锡)有限公司
摘要：本发明提供一种选择性发射极钝化接触太阳电池的制备方法，在背面的N+多晶硅掺杂层进行局部掺杂，形成N++重掺杂区；在N型硅片的正面和背面分别进行电极金属化时，背面电极套印在所述的N++重掺杂区上。本发明通过在背面制备选择性发射极，在保证钝化效果、高填充因子的前提下，尽可能减薄N+多晶硅掺杂层厚度和降低整体掺杂浓度，提升短路电流，提升太阳电池转换效率。
主权项：1.一种选择性发射极钝化接触太阳电池的制备方法，其特征在于：本方法包括：S1、N型硅片预处理和双面制绒；S2、N型硅片的正面处理：在N型硅片的正面设置P+掺杂层；S3、N型硅片的背面处理：在N型硅片的背面依次制备隧穿氧化层和一定厚度的本征非晶硅层，本征非晶硅层厚度为40～120nm；然后将本征非晶硅层转化为多晶硅层，并在硅片背面形成N+多晶硅掺杂层；S4、背面选择性重掺杂：在所述的N+多晶硅掺杂层，采用激光掺杂的方式进行选择性重掺杂，形成N++重掺杂区；S5、去除因工艺带来的其它非必要层；S6、在N型硅片的正面形成正面钝化减反射层，同时在N型硅片的背面形成背面钝化减反射层；S7、在N型硅片的正面和背面分别进行电极金属化，得到正面电极和背面电极；其中，背面电极套印在所述的N++重掺杂区上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 帝尔激光科技(无锡)有限公司 一种选择性发射极钝化接触太阳电池及其制备方法
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