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申请/专利权人：庄狄烽
摘要：本发明公开了一种石墨烯发热晶片包覆封装工艺，包括如下步骤：1）成管：将金属线打盲孔，形成金属管；金属管的壁厚控制在0.2至0.3mm，金属管的盲孔孔径为0.5至1.5L，其中，L为石墨烯发热晶片的宽度；2）第一次扁压：将金属管进行扁压，形成扁平状的金属套，金属套的套孔的厚度为1.1至1.5H，宽度大于L，其中，H为石墨烯发热晶片的厚度；3）前端打尖：将金属套的端部进行打尖处理，形成前端为尖端的扁平状的金属套；4）嵌片：将石墨烯发热晶片的主体部插入扁平状金属套的套孔中；5）第二次扁压：将插入石墨烯发热晶片的扁平状金属套进行第二次扁压，以使得金属套的套孔的厚度达到H±0.02mm，从而使得金属套的套孔的内侧面与石墨烯发热晶片进行紧密贴合。
主权项：1.一种石墨烯发热晶片包覆封装工艺，其特征在于：包括如下步骤：1成管：将金属线打盲孔，形成金属管；所述金属管的壁厚控制在0.2至0.3mm，金属管的盲孔孔径为0.5至1.5L，其中，L为石墨烯发热晶片的宽度；2第一次扁压：将步骤1所形成的金属管进行扁压，形成扁平状的金属套，所述金属套的套孔的厚度为1.1至1.5H，宽度大于L，其中，H为石墨烯发热晶片的厚度；3前端打尖：将步骤2所形成的金属套的端部进行打尖处理，形成前端为尖端的扁平状的金属套；4嵌片：将石墨烯发热晶片的主体部插入步骤3中的扁平状金属套的套孔中；5第二次扁压：将步骤4中插入石墨烯发热晶片的扁平状金属套进行第二次的限定厚度扁压，以使得金属套的套孔的厚度达到H±0.02mm，从而使得金属套的套孔的内侧面与石墨烯发热晶片进行紧密贴合。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 庄狄烽 一种石墨烯发热晶片包覆封装工艺
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