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追踪最坏情况记忆胞的内存装置及其方法 

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申请/专利权人:台湾积体电路制造股份有限公司

摘要:本发明提供一种内存宏,包括利用抑制电压来驱动字线的追踪字线驱动器。使抑制电压为低于用于驱动记忆数组中字线的电压,此电压为透过具有抑制电压而使追踪字线被驱动的量,所述抑制电压是被保持为比漏极电源电压低的电压。抑制追踪字线上的电压,其使得具有平均胞元特性的追踪记忆胞,以模仿记忆数组中的最慢记忆胞。具有抑制电压的追踪字线可经受仿效式字线负载。具有抑制电压及仿效式字线负载的追踪字线亦可用于对在写入追踪中使用的仿效式写入驱动器进行使能。具有抑制电压的追踪字线亦可用作对写入操作进行时序的写入延迟电路的输入。

主权项:1.一种内存装置,其特征在于,包括:记忆数组;第一追踪胞元;追踪字线驱动器,包括开关电路、拉低电路及节点;追踪字线,耦合至所述节点且耦合至所述第一追踪胞元;漏极电源,被配置成向所述开关电路提供漏极电压;以及源极电源,被配置成向所述拉低电路提供源极电压;其中所述追踪字线驱动器经由所述开关电路将所述节点耦合至所述漏极电源且经由所述拉低电路将所述节点耦合至所述源极电源,以在介于所述漏极电压与所述源极电压之间的抑制电压下驱动所述追踪字线。

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