龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：杭州谱析光晶半导体科技有限公司
摘要：本发明公开了一种立式耐击穿的栅极介电层MOSFET器件，本发明涉及半导体功率器件技术领域，包括漏极电极，漏极电极的上方设置有导电衬底层，导电衬底层的上端两侧均设置有导电外延层，导电衬底层的上端中部设置有导电柱区，导电柱区的上方设置有栅介质层，两个导电外延层的上方均设置有缓冲结构，两个缓冲结构的上方分别设置有导电扩展层和导电阱区，导电扩展层的上方设置有导电源区，导电源区的上方、栅介质层的上方和导电阱区的上方共同设置有源极电极。该立式耐击穿的栅极介电层MOSFET器件，减少关断状态下的漏电流，能够消除双极退化效应，耐击穿效果好，从而降低开启电压和减小开关损耗，增加栅极介电层的安全可靠性。
主权项：1.一种立式耐击穿的栅极介电层MOSFET器件，包括漏极电极1，其特征在于：所述漏极电极1的上方设置有导电衬底层2，所述导电衬底层2的上端两侧均设置有导电外延层3，所述导电衬底层2的上端中部设置有导电柱区4，所述导电柱区4的上方设置有栅介质层6，所述导电柱区4的上端设置有栅极电极7，两个所述导电外延层3的上方均设置有缓冲结构5，两个所述缓冲结构5的上方分别设置有导电扩展层13和导电阱区7，所述导电扩展层13的上方设置有导电源区12，所述导电源区12的上方、栅介质层6的上方和导电阱区7的上方共同设置有源极电极8，所述源极电极8的一端与缓冲结构5接触，所述源极电极8的上方两侧分别设置有一号耐压层9和二号耐压层10，两个所述导电外延层3内均设置有导电屏蔽区33，所述栅介质层6位于栅极电极7内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州谱析光晶半导体科技有限公司 一种立式耐击穿的栅极介电层MOSFET器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号