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申请/专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
摘要：本申请公开了高介电金属栅及其制作方法，所述制作方法包括在栅极凹槽内通过执行多次分步式沉积过程来形成采用氮化钛材料的阻挡层，分步式沉积过程包括：向栅极凹槽内通入钛原料气体，使栅极凹槽的槽壁上沉积钛；向栅极凹槽内通入氮原料气体，使槽壁上沉积的钛与氮发生化学吸附而形成构成阻挡层的其中一层氮化钛膜。本申请能够改善后续金属栅填充的工艺窗口，从而提高半导体器件的电学性能。
主权项：1.一种高介电金属栅的制作方法，包括在栅极凹槽内通过多次执行分步式沉积过程来形成采用氮化钛材料的阻挡层以及在所述栅极凹槽的所述阻挡层上形成采用钛材料的润湿层，其中，所述分步式沉积过程包括：向所述栅极凹槽内通入钛原料气体，使所述栅极凹槽的槽壁上沉积钛；向所述栅极凹槽内通入氮原料气体，使所述槽壁上沉积的钛与氮发生化学吸附而形成构成所述阻挡层的其中一层氮化钛膜；所述润湿层的形成过程包括：向所述栅极凹槽内通入钛原料气体，使所述阻挡层上沉积钛；通过向所述栅极凹槽通氩和氪的混合气体，使所述混合气体轰击所述栅极凹槽槽口处的所述阻挡层上沉积的钛。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥晶合集成电路股份有限公司 高介电金属栅及其制作方法
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