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申请/专利权人：南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司
摘要：本发明公开了分裂高K金属栅超结碳化硅沟槽MOSFET及制备方法，包括半导体漏区、半导体N型漂移区、半导体P型漂移区、P型阱区、半导体N型源区、半导体P型源区和分裂高K金属栅结构；分裂高K金属栅结构包括深槽高K介质区、分裂栅金属和栅极金属；分裂栅金属和栅极金属位于深槽高K介质内部；与分裂高K金属栅结构相接触的半导体N型漂移区界面上，从上至下依次布设有半导体源区、P型阱区和半导体漂移区。本发明在动态时，分裂高K金属栅结构能减小漏栅电容，改善器件的动态性能；深槽高K介质区调制漂移区电场提高击穿电压，提高漂移区浓度降低比导通电阻；深槽高K介质区内部的峰值电场得到降低，提高栅介质稳定性。
主权项：1.一种分裂高K金属栅超结碳化硅沟槽MOSFET，其特征在于：包括半导体漏区、超结结构、P型阱区、半导体源区和分裂高K金属栅结构；半导体漏区底部沉积有漏端金属电极；超结结构外延在半导体漏区顶部，包括从内至外依次同轴布设的半导体N型漂移区和半导体P型漂移区；P型阱区布设在超结结构顶部；半导体源区布设在P型阱区顶部，半导体源区的顶部沉积有源端金属电极；半导体源区包括从内至外依次同轴布设的半导体N型源区和半导体P型源区；分裂高K金属栅结构包括深槽高K介质区、分裂栅金属和栅极金属；深槽高K介质区同轴嵌设在半导体N型源区、P型阱区和半导体N型漂移区中部；深槽高K介质区的顶面与半导体N型源区顶面齐平；深槽高K介质区的厚度THK大于半导体N型漂移区厚度的二分之一，但小于超结结构的厚度；深槽高K介质区的宽度小于半导体N型漂移区的宽度；分裂栅金属和栅极金属从上至下依次同轴布设在深槽高K介质区中部；栅极金属顶面与深槽高K介质区顶面齐平；分裂栅金属与栅极金属之间具有间距Tgap，分裂栅金属底面与深槽高K介质区底面之间具有大于零的设定间距。
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权利要求：
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