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申请/专利权人：电子科技大学
摘要：本专利公开了一种基于碲纳米网TeNMs的柔性应变传感器。器件制作步骤是先使用气相生长方法在柔性材料基底上生长碲纳米网，然后使用物理掩膜方法结合电子束蒸发制作金属电极。本专利利用碲原子链间的范德华键和准范德华界面处的自发失配弛豫，在100℃低温下于柔性衬底上制备了碲纳米网作为应变传感器的传感层。制作的应变传感器在小应变下具有灵敏度高、耐用性好等特点。本专利的优点是器件制作方法简单、可靠、灵敏度高，适用于测量微应变的场景。
主权项：1.一种基于碲纳米网的高灵敏度柔性应变传感器，其特征在于：所述的探测器的结构从下至上为：1柔性材料基底；2TeNMs传感层；3金属电极层，中部有沟道将电极分为两部分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 基于碲纳米网的高灵敏度柔性应变传感器
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